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J-GLOBAL ID：201502213432653360   整理番号：15A1191605

閾値スイッチングセレクタを持つ1セレクタ1レジスタクロスポイントアレイ

One-Selector One-Resistor Cross-Point Array With Threshold Switching Selector

著者 (9件)： ZHANG Leqi (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  ZHANG Leqi (imec, Leuven, BEL) ,  COSEMANS Stefan (imec, Leuven, BEL) ,  WOUTERS Dirk J. (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  WOUTERS Dirk J. (imec, Leuven, BEL) ,  GROESENEKEN Guido (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  GROESENEKEN Guido (imec, Leuven, BEL) ,  JURCZAK Malgorzata (imec, Leuven, BEL) ,  GOVOREANU Bogdan (imec, Leuven, BEL)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 10  ページ： 3250-3257  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二端子の簡単な構造の抵抗スイッチングメモリは単層で面積を小さくできるが,クロスポイントアレイはメモリ動作時のリークを抑えるために非線形のセル動作が必要である。1セレクタ1レジスタ(1S1R)クロスポイントアレイの性能に与える閾値スイッチング(TS)セレクタ特性の影響を調べた。SPICEシミュレーションの結果,閾値電圧(V_th)とオン状態抵抗(R_s)が重要なセレクタパラメータである。低いV_thはリードの1R問題を無くせるが,ライト時のセル非線形性(NL)を失う。V_thとR_sを高くするとセルNLを改善しリードディスターブを緩和するが,リードウインドウが狭まりリードとライト動作に高電圧を要する。急峻ではない電流電圧特性のセレクタと比べると,TSセレクタは低電圧動作により適している。TSセレクタの改善方向も示した。

シソーラス用語： 記憶装置 ,  RAM【メモリ】 ,  SPICEプログラム ,  *シミュレーション ,  電圧 ,  電流電圧特性 ,  記憶構造 ,  選別器
準シソーラス用語： *RRAM ,  クロスポイントアレイ ,  セレクタ ,  *メモリアーキテクチャ ,  抵抗スイッチングメモリ ,  閾値電圧

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 閾値 ,  スイッチング ,  セレクタ