高出力高効率システム用の新設計SiCデバイス

MIKAMURA Yasuki; HIRATSUKA Kenji; TSUNO Takashi; MICHIKOSHI Hisato; TANAKA So; MASUDA Takeyoshi; WADA Keiji; HORII Taku; GENBA Jun; HIYOSHI Toru; SEKIGUCHI Takeshi

文献

J-GLOBAL ID：201502213555170877 整理番号：15A0298487

高出力高効率システム用の新設計SiCデバイス

Novel Designed SiC Devices for High Power and High Efficiency Systems

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資料名：
巻： 62 号： 2 ページ： 382-389 発行年： 2015年02月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

二種類の4H-SiC MOSFETを製作した。一つは新しく設計したV溝トレンチMOSFETであり,チャネルに4H-SiC(0-33-8)面を使っている。この面を使ったMOS表面は表面準位密度が3×10¹¹cm^-2と低いためにチャネル移動度が80cm²/Vsと高くなり,チャネル抵抗が低くなる。トレンチ底面にあるp⁺領域抵抗を増やすことなく電界集中を緩和している。1700Vの高いブロッキング電圧で3.5mΩcm²の低い固有オン状態抵抗が得られた。もう一つは接合終端拡張とエッジ終端領域のための電界制限リングを注意深く設計し,接合FET領域に追加ドーピングをした二重イオン注入MOSFETである。ブロッキング特性は終端ドーピング濃度に強く依存していることがシミュレーションと実験で明らかになった。ブロッキング電圧3850Vで固有オン状態抵抗が14.2mΩcm²のバランスのとれた特性が得られた。

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トランジスタ

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