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J-GLOBAL ID：201502213784228200   整理番号：15A1355802

電場ジャンプ 圧力下でアニールしたMgB₂線中の損傷のあるNb障壁の検出

The electric field jump-detection of damaged Nb barrier in MgB₂ wires annealed under pressure

著者 (6件)： GAJDA D (International Lab. of High Magnetic Fields and Low Temperatures, Wroclaw, POL) ,  ZALESKI A J (Inst. of Low Temperature and Structure Res., Polish Acad. of Sci., Wroclaw, POL) ,  MORAWSKI A (Inst. of High Pressure, Polish Acad. of Sci., Warszawa, POL) ,  RINDFLEISCH M (Hyper Tech Res., Inc., OH, USA) ,  THONG C (Hyper Tech Res., Inc., OH, USA) ,  TOMSIC M (Hyper Tech Res., Inc., OH, USA)
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 28  号： 11  ページ： 115003,1-15  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MgB₂超伝導線に関する基礎研究の一環として,本論文では,臨界電流(I_c)測定の結果を報告した。この実験では,四端子法測定において,下記の2種類のセットアップを用いた。つまり,1)電流掃引法(一定磁場中で電流を増大),2)磁場掃引法(一定電流を通しながら,磁場を急速増大)。実験結果に基づいて,1)第二の方法での測定結果は,新しい物理概念,つまり,低磁場での電場の跳び,で説明できること,2)この概念は,MgB₂線に存在するNb障壁での損傷と関連付けが出来て,検出スキームとして使用できること,3)Nb障壁での損傷は,臨界電流密度を低下させ,臨界温度,上部臨界磁場,不可逆磁場,ピン止め力,ならびにピン止め中心に関する研究を複雑にすること,を記した。

シソーラス用語： *超伝導線 ,  ホウ化物 ,  *マグネシウム化合物 ,  *臨界電流 ,  精密測定 ,  電気抵抗 ,  拡散障壁 ,  ニオブ ,  臨界温度 ,  臨界磁場 ,  磁場 ,  磁束ピン止め ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： ホウ化マグネシウム ,  四端子法 ,  上部臨界磁場 ,  不可逆磁場

分類 (2件)： 超伝導材料  (BM04041W) ,  金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電場 ,  ジャンプ ,  アニール ,  MgB2 ,  損傷 ,  Nb ,  障壁