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J-GLOBAL ID：201502213860344606   整理番号：15A0898193

高性能家庭用誘導加熱のためのSiCパワーデバイスの比較評価

A Comparative Evaluation of SiC Power Devices for High-Performance Domestic Induction Heating

著者 (3件)： SARNAGO Hector (Univ. Zaragoza, Zaragoza, ESP) ,  LUCIA Oscar (Univ. Zaragoza, Zaragoza, ESP) ,  BURDIO Jose M. (Univ. Zaragoza, Zaragoza, ESP)
資料名： IEEE Transactions on Industrial Electronics  (IEEE Transactions on Industrial Electronics)
巻： 62  号： 8  ページ： 4795-4804  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： C0234A  ISSN： 0278-0046  CODEN： ITIED6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： これまでの加熱方法に比較して,誘導加熱(IH)の利点は改善された効率および性能であり,また,非接触のエネルギー転送方法のためクリーンで非侵襲的な技術である。幅広い応用の中で,IH家電製品は,設置台数が大きく経済的社会的影響が大きい。今日,炭化シリコン(SiC)などの新しい広いバンドギャップのパワーデバイスは,改善された効率および性能をもつ新しい設計パラダイムを可能にしている。本論文では,家庭用IH応用のためのSiCパワーデバイスの比較評価について述べる。比較には,MOSFET,ノーマリオンおよびオフのJFET,およびBJTを含む。

シソーラス用語： *家庭電器 ,  *誘導加熱 ,  *炭化ケイ素 ,  *半導体素子 ,  *評価 ,  バンドギャップ ,  MOSFET ,  回路特性 ,  接合形FET ,  バイポーラトランジスタ
準シソーラス用語： ノーマリーオフ ,  *パワーデバイス ,  *高性能 ,  *比較評価

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高性能 ,  家庭 ,  誘導加熱 ,  SiCパワーデバイス ,  比較評価