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J-GLOBAL ID：201502214457599721   整理番号：15A0274996

金属/InGaN-Schottky接合太陽電池 解析的方法

Metal/InGaN Schottky junction solar cells: an analytical approach

著者 (5件)： MAHALA Pramila (Pandit Deendayal Petroleum Univ., School of Solar Energy, 382007, Gandhinagar, Gujarat, IND) ,  BEHURA Sanjay Kumar (Gujarat Energy Res. and Management Inst. - Res., Innovation and Incubation Centre, Solar Energy Res. Wing, 382007 ...) ,  DHANAVANTRI Chenna (CSIR-Central Electronics Engineering Res. Inst., 333031, Pilani, Rajasthan, IND) ,  RAY Abhijit (Pandit Deendayal Petroleum Univ., School of Solar Energy, 382007, Gandhinagar, Gujarat, IND) ,  JANI Omkar (Gujarat Energy Res. and Management Inst. - Res., Innovation and Incubation Centre, Solar Energy Res. Wing, 382007 ...)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 118  号： 4  ページ： 1459-1468  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電圧モデルを用いて,低及び高レベル注入条件による金属/n-InGaN-Schottky接合太陽電池の光起電力挙動を探索した。n-InGaNとのSchottky接触として四種の金属Ni-Au,Ni,Au,Ptを用い,n-InGaNにおけるインジウム組成を変えて,開放回路電圧(V_oc),短絡回路電流密度(J_sc)に対してSchottky接合太陽電池を調べた。n-InGaNにおけるインジウム組成の遮断値は,Ni-Au,Ni,Au,Ptに対して,それぞれ36,42,55,70%であった。V_ocとJ_scに及ぼすドーピング密度と表面再結合速度の効果も探索した。φ=2×10¹⁷cm^-2s^-1の光子束を持つ低レベル注入条件に比べて,高レベル注入条件下では,V_ocとJ_scの増加をモデルは予測した。金属Ptは,n-InGaNとのSchottky接合の作製に関して,良好な選択であることが分かった。n-InGaNにおけるドナー原子の濃度は両タイプの注入において重要な役割を果たす。高いV_ocを得るには,ドナー濃度を高く(>10¹⁶cm^-3)保つのが望ましいはずである。Copyright 2014 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *金属 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *半導体金属接合 ,  *太陽電池 ,  ニッケル ,  金 ,  銀 ,  *光起電力 ,  電圧 ,  短絡電流 ,  キャリア再結合 ,  *Schottky障壁 ,  キャリア注入 ,  空乏層 ,  N型半導体 ,  解析的解法
準シソーラス用語： 開放回路電圧 ,  *窒化インジウムガリウム

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (4件)： InGaN ,  Schottky接合 ,  太陽電池 ,  解析