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J-GLOBAL ID：201502214496495100   整理番号：15A0247999

高密度非晶質的InSbナノワイヤアレイと光電特性

High density near amorphous InSb nanowire arrays and its photo-electric performance

著者 (6件)： FANG Ming (Key Lab. of Materials Physics, Anhui Key Lab. of Nanomaterials and Nanostructure, Inst. of Solid State Physics ...) ,  TAN Xiaoli (Inst. of Plasma Physics, Chinese Acad. of Sciences, Hefei 230031, CHN) ,  LIU Mao (Key Lab. of Materials Physics, Anhui Key Lab. of Nanomaterials and Nanostructure, Inst. of Solid State Physics ...) ,  GONG Xinxin (Key Lab. of Materials Physics, Anhui Key Lab. of Nanomaterials and Nanostructure, Inst. of Solid State Physics ...) ,  ZHANG Lide (Key Lab. of Materials Physics, Anhui Key Lab. of Nanomaterials and Nanostructure, Inst. of Solid State Physics ...) ,  FEI Guangtao (Key Lab. of Materials Physics, Anhui Key Lab. of Nanomaterials and Nanostructure, Inst. of Solid State Physics ...)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 626  ページ： 35-41  発行年： 2015年03月25日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直径が30,55,70nmの陽極酸化アルミナ(AAO)テンプレートを用いて,高密度の非晶質的InSbナノワイヤアレイを電着法によって製造した。ナノワイヤが非晶質に近い構造であることはX線回折(XRD)と高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM)で確認した。バルク材料とは異なり,ナノワイヤは黒色で通常の方法では分析できなかった。その理由を考察した。光電効果性能を調べた結果,30nm径のInSbナノワイヤが最高の性能を示し約260Kで使用可能である。非晶質に近い構造の形成についても考察した。この高密度ナノアレイは赤外線の検出に使える可能性がある。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アンチモン化インジウム ,  *ナノ構造 ,  *細線 ,  配列 ,  密度 ,  酸化アルミニウム ,  アノード酸化 ,  鋳型反応 ,  非晶質 ,  電着 ,  *光電効果 ,  赤外検出器
準シソーラス用語： *ナノワイヤアレイ ,  高密度 ,  陽極酸化アルミニウム

分類 (1件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 非晶質 ,  InSb ,  ナノワイヤアレイ ,  光電特性