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J-GLOBAL ID：201502214582313865   整理番号：15A1018454

窒化ケイ素による太陽電池の効率良い不動態化

Efficient passivation of solar cells by silicon nitride

著者 (6件)： EL Amrani A. (Res. Center in Semiconductor Technol. for Energetic (CRTSE), 02 Bd. Frantz Fanon - Alger, BP N°140, Les 07 ...) ,  BEKHTARI A. (Res. Center in Semiconductor Technol. for Energetic (CRTSE), 02 Bd. Frantz Fanon - Alger, BP N°140, Les 07 ...) ,  EL Kechai A. (Res. Center in Semiconductor Technol. for Energetic (CRTSE), 02 Bd. Frantz Fanon - Alger, BP N°140, Les 07 ...) ,  MENARI H. (Res. Center in Semiconductor Technol. for Energetic (CRTSE), 02 Bd. Frantz Fanon - Alger, BP N°140, Les 07 ...) ,  MAHIOU L. (Res. Center in Semiconductor Technol. for Energetic (CRTSE), 02 Bd. Frantz Fanon - Alger, BP N°140, Les 07 ...) ,  MAOUDJ M. (Res. Center in Semiconductor Technol. for Energetic (CRTSE), 02 Bd. Frantz Fanon - Alger, BP N°140, Les 07 ...)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 120  号： PB  ページ： 95-99  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,多結晶シリコン太陽電池の効率良い不動態化が得られる,PECVD窒化ケイ素(SiN)膜の蒸着パラメータを調べた。調べたパラメータは,ガスプロセス流量比SiH₄/NH₃を通した温度,電力,及び屈折率である。対称な構造SiN/Si/SiNと,準定常状態光コンダクタンス(Quasi-Steady-State Photo-Conductance,QSSPC)特性評価を使って,最適温度と最適電力は各々380°C,4500Wであることを見いだした。多結晶シリコン太陽電池上に蒸着したSiN膜の光学・電気特性を生じる方法を使って最適な屈折率を決定した。この方法は短絡電流密度の計算に基づき,最適な屈折率は1.9であることを明らかにした。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ケイ素 ,  太陽電池 ,  プラズマCVD ,  比率 ,  屈折率 ,  短絡電流 ,  *不動態化 ,  シラン ,  アンモニア
準シソーラス用語： *PECVD ,  *シリコン太陽電池 ,  流量比

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 窒化ケイ素 ,  太陽電池 ,  不動態化