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J-GLOBAL ID：201502214613575863   整理番号：15A1073789

X線光電子放出分光法により測定したCu₂SnS₃/In₂S₃界面でのバンド整列

Band alignment at the Cu₂SnS₃/In₂S₃ interface measured by X-ray photoemission spectroscopy

著者 (10件)： JIA Hongjie (Coll. of Physics and Information Engineering, Inst. of Micro-Nano Devices and Solar Cells, Fuzhou Univ., Fuzhou ...) ,  JIA Hongjie (Jiangsu Collaborative Innovation Center of Photovolatic Sci. and Engineering, Changzhou 213164, CHN) ,  CHENG Shuying (Coll. of Physics and Information Engineering, Inst. of Micro-Nano Devices and Solar Cells, Fuzhou Univ., Fuzhou ...) ,  CHENG Shuying (Jiangsu Collaborative Innovation Center of Photovolatic Sci. and Engineering, Changzhou 213164, CHN) ,  ZHANG Hong (Coll. of Physics and Information Engineering, Inst. of Micro-Nano Devices and Solar Cells, Fuzhou Univ., Fuzhou ...) ,  ZHANG Hong (Jiangsu Collaborative Innovation Center of Photovolatic Sci. and Engineering, Changzhou 213164, CHN) ,  YU Jinling (Coll. of Physics and Information Engineering, Inst. of Micro-Nano Devices and Solar Cells, Fuzhou Univ., Fuzhou ...) ,  YU Jinling (Jiangsu Collaborative Innovation Center of Photovolatic Sci. and Engineering, Changzhou 213164, CHN) ,  LAI Yunfeng (Coll. of Physics and Information Engineering, Inst. of Micro-Nano Devices and Solar Cells, Fuzhou Univ., Fuzhou ...) ,  LAI Yunfeng (Jiangsu Collaborative Innovation Center of Photovolatic Sci. and Engineering, Changzhou 213164, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 353  ページ： 414-418  発行年： 2015年10月30日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文では,X線光電子分光法によるCu₂SnS₃(CTS)/In₂S₃ヘテロ接合界面でのバンド整列の研究に焦点を当てた。In₂S₃被覆層をCTS薄膜上に成長させた。これはH₂S:N₂雰囲気中の真空熱蒸発Sn-Cu金属前駆体の硫化により成長させた。CTS/In₂S₃界面での価電子帯オフセット(VBO)は1.27±0.10eVと測定された。測定VBOから伝導帯オフセット(CBO)を計算し,(0.58±0.10)eVの値を得た。これらの値は,CBOがスパイク様挙動を持つこと,及び界面が「タイプ1」であることを示す。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *硫化物 ,  *インジウム化合物 ,  *ヘテロ接合 ,  *界面 ,  *バンド構造 ,  X線回折 ,  *X線光電子スペクトル ,  反射スペクトル ,  *スズ化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  アラインメント ,  バンドオフセット ,  価電子バンド ,  *伝導バンド ,  陰極線ルミネセンス ,  可視発光スペクトル ,  光学定数 ,  光吸収スペクトル
準シソーラス用語： *硫化インジウム ,  *バンドアライメント

分類 (3件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (5件)： X線 ,  光電子放出 ,  分光法 ,  界面 ,  バンド整列