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J-GLOBAL ID：201502214652540015   整理番号：15A1256356

DRAMキャパシタ形成のための高アスペクト比コンタクト(HARC)エッチングにおける課題

Challenges in High Aspect Ratio Contact (HARC) Etching for DRAM Capacitor Formation

著者 (6件)： KIM Yongjin (SK hynix, Gyeonggi-do, KOR) ,  LEE Sangdo (SK hynix, Gyeonggi-do, KOR) ,  JUNG Taewoo (SK hynix, Gyeonggi-do, KOR) ,  LEE Byungseok (SK hynix, Gyeonggi-do, KOR) ,  KWAK Nohjung (SK hynix, Gyeonggi-do, KOR) ,  PARK Sungki (SK hynix, Gyeonggi-do, KOR)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9428  ページ： 942806.1-942806.6  発行年： 2015年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： DRAM作製においてキャパシタを形成するためのHARCエッチングにおいて,CD一様性,垂直プロファイル,プロセスマージン等のような多くの必須の必要条件が満たされなければならない。CD一様性はマスクエッチングにより主に決定される。最近,コンタクトホール間のスペースのCD一様性が設計ルール縮小とともに悪くなったことが分かった。そして悪いCD一様性はハードマスクの傾いたプロファイルに由来する。本論文では,これらの問題と関連した課題について述べた。そして問題のメカニズムを理解ためのおよびそれらを解決するための種々の方法について述べた。

シソーラス用語： *エッチング ,  *DRAM ,  *アスペクト比 ,  *コンデンサ ,  長さ ,  *寸法精度 ,  垂直分布 ,  *コンタクトホール ,  漏れ電流 ,  均一性 ,  *マスク ,  静電容量 ,  面積 ,  *収縮 ,  規則 ,  表面反応 ,  誘電率
準シソーラス用語： *ハードマスク ,  高アスペクト比 ,  設計規則 ,  臨界寸法

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： DRAM ,  キャパシタ ,  高アスペクト比 ,  コンタクト ,  エッチング