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J-GLOBAL ID：201502215552089835   整理番号：15A1061934

ZnTe(110)表面におけるクロム不純物誘起電子状態

Cr impurity-induced electronic states in ZnTe(110) surface

著者 (5件)： KANAZAWA Ken (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  NISHIMURA Taku (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  YOSHIDA Shoji (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SHIGEKAWA Hidemi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  KURODA Shinji (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 8S2  ページ： 08LB01.1-08LB01.4  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型ZnTe(110)表面の最頂部層における亜鉛サイトを置換したクロム原子の不純物状態を,走査型トンネル顕微法/分光法(STM/STS)により調べ,非占有状態を含めてホストZnTeのエネルギーギャップ領域内でクロム不純物誘起状態をSTSによって初めて観測した。さらに,観測した局所状態密度のエネルギー準位と空間分布を以前の理論的研究[Katayama-Yoshidaら,Phys.Status Solidi A 204,15(2007)]とを比較し,不純物状態を理論的研究により予想されたスピン分極不純物状態として同定することに成功した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *テルル化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *クロム ,  *不純物準位 ,  電子状態 ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  *スペクトロスコピー ,  エネルギーギャップ ,  状態密度 ,  エネルギー準位 ,  スピン分極
準シソーラス用語： 局所状態密度 ,  *走査型トンネル分光法

分類 (1件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

引用文献 (23件)：

• T. Dietl, Nat. Mater. 9, 965 (2010).
• T. Dietl and H. Ohno, Rev. Mod. Phys. 86, 187 (2014).
• A. M. Yakunin, A. Yu. Silov, P. M. Koenraad, J. H. Wolter, W. Van Roy, J. De Boeck, J.-M. Tang, and M. E. Flatté, Phys. Rev. Lett. 92, 216806 (2004).
• A. M. Yakunin, A. Yu. Silov, P. M. Koenraad, J.-M. Tang, M. E. Flatté, W. Van Roy, J. De Boeck, and J. H. Wolter, Phys. Rev. Lett. 95, 256402 (2005).
• D. Kitchen, A. Richardella, J. M. Tang, M. E. Flatté, and A. Yazdani, Nature 442, 436 (2006).

タイトルに関連する用語 (5件)： ZnTe ,  クロム ,  不純物 ,  誘起 ,  電子状態