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J-GLOBAL ID：201502215814734672   整理番号：15A0834636

耐放射線性ZnO薄膜トランジスタ

Radiation-Hard ZnO Thin Film Transistors

著者 (9件)： RAMIREZ J. Israel (Penn State Univ., PA, USA) ,  LI Yuanyuan V. (Penn State Univ., PA, USA) ,  LI Yuanyuan V. (Intel Corp., ID, USA) ,  BASANTANI Hitesh (Penn State Univ., PA, USA) ,  BASANTANI Hitesh (Intel Corp., OR, USA) ,  LEEDY Kevin (Air Force Res. Lab., OH, USA) ,  BAYRAKTAROGLU Burhan (Air Force Res. Lab., OH, USA) ,  JESSEN Gregg H. (Air Force Res. Lab., OH, USA) ,  JACKSON Thomas N. (Penn State Univ., PA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 62  号： 3,Pt.3  ページ： 1399-1404  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnOは通常の共有結合半導体(SiやGaAs)に比べて耐放射線性が高い。本研究では,二種類の方法で堆積させた多結晶ZnO薄膜トランジスタ(TFT)に最大100Mrad(SiO₂)のγ線を照射し,その影響を調べた。バイアスを掛けて又は掛けずに照射したTFTの主な変化は,負のV_ONシフト(約-2.5V)とV_Tシフト(約-1.5V)であった。200°Cで1分間焼なますと,V_ONとV_Tがほぼ完全に除去され,一部は室温でも除去された。ZnO薄膜トランジスタは照射時の電気バイアスに不感であった。

シソーラス用語： *耐放射線性 ,  *酸化亜鉛 ,  *薄膜トランジスタ ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  γ線照射 ,  バイアス ,  電圧 ,  電流 ,  電流電圧特性 ,  照射線量
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  ドレイン電流

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 耐放射線性 ,  ZnO薄膜 ,  トランジスタ