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J-GLOBAL ID：201502215855765477   整理番号：15A1275797

半導体結晶成長機構のその場観察 その場放射光X線回折によるIII-Vエピ成長のひずみ解析

Strain Analysis of III-V Epitaxial Growth by in Situ Synchrotron X-ray Diffraction

著者 (2件)： 佐々木拓生 (日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究セ) ,  高橋正光 (日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究セ)
資料名： 日本結晶成長学会誌(CD-ROM)  (Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))
巻： 42  号： 3  ページ： 210-217  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： F0452C  ISSN： 2188-7268  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 特集号「半導体結晶成長機構のその場観察」の記事として,本論文では,III-Vエピ成長のひずみに関するin situ放射光X線回折による解析を報告した。実験には,SPring-8のビームラインBL11XUに設置されたMBE装置搭載のX線回折装置(MBE-XRD)を使用した。対象としたのは,GaAs(001)基板上のGaAsバッファ層上におけるIn_0.12Ga_0.88As単層である。二次元検出器を用いたin situ逆格子マッピング測定の結果に基づいて,歪緩和過程は,転位挙動の異なる4範囲の厚さに分類できることを示した。この結果を定量的に説明するため,Dodson-Tsaoモデルに基づいた歪緩和モデルを提示し,その有効性を,残留歪の実験値との良好な一致で実証した。

シソーラス用語： 実験 ,  *化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *MBE成長 ,  単一層 ,  基板 ,  ヒ化ガリウム ,  バッファ層 ,  *X線回折 ,  シンクロトロン放射 ,  放射光施設 ,  写像 ,  モデル ,  格子歪 ,  緩和現象 ,  不整合転位
準シソーラス用語： Dodson-Tsaoモデル ,  in situ実験 ,  SPring-8 ,  *シンクロトロンX線回折 ,  ミスフィット転位 ,  逆格子マッピング ,  歪緩和

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (20件)：

• W. Guter, J. Schone, S.P. Philipps, M. Steiner, G. Siefer, A. Wekkeli, E. Welser, E. Oliva, A.W. Bett, and F. Dimroth: Appl. Phys. Lett., 94 (2009) 223504-1
• T. Takamoto, K. Sasaki, T. Agui, H. Juso, A. Yoshida, and K. Nakaido: Sharp Tech. J., 100 (2010) 28
• R.M. France, J.F. Geisz, M.A. Steiner, B. To, M.J. Romero, W.J. Olavarria, and R.R. King: J. Appl. Phys., 111 (2012) 103528
• R.M. France, J.F. Geisz, I. Garcia, M.A. Steiner, W.E. McMahon, D.J. Friedman, T.E. Moriarty, C. Osterwald, J.S. Ward, A. Duda, M. Young, and W.J. Olavarria: IEEE J. Photovoltaics, 5 (2015) 432
• V. Krishnamoorthy, Y. W. Lin, L. Calhoun, H. L. Liu, and R. M. Park: Appl. Phys. Lett., 61 (1992) 2680

タイトルに関連する用語 (5件)： 半導体結晶成長 ,  その場観察 ,  放射光X線回折 ,  成長 ,  ひずみ解析