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J-GLOBAL ID：201502215868680128   整理番号：15A0995380

3C-SiC中のCコアとSiコアの部分転位の間の運動差に対する反応経路解析

Reaction pathway analysis for differences in motion between C-core and Si-core partial dislocation in 3C-SiC

著者 (6件)： YANG Jing (Dep. of Mechanical Engineering, School of Engineering, the Univ. of Tokyo) ,  IZUMI Satoshi (Dep. of Mechanical Engineering, School of Engineering, the Univ. of Tokyo) ,  MURANAKA Ryota (Dep. of Mechanical Engineering, School of Engineering, the Univ. of Tokyo) ,  SUN Yu (Dep. of Mechanical Engineering, School of Engineering, the Univ. of Tokyo) ,  HARA Shotaro (Dep. of Mechanical Engineering, School of Engineering, the Univ. of Tokyo) ,  SAKAI Shinsuke (Dep. of Mechanical Engineering, School of Engineering, the Univ. of Tokyo)
資料名： Mechanical Engineering Journal (Web)  (Mechanical Engineering Journal (Web))
巻： 2  号： 4  ページ： 15-00183-15-00183 (J-STAGE)  発行年： 2015年 
JST資料番号： U0484A  ISSN： 2187-9745  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3S-SiC中のShockley部分転位の活性化エネルギー障壁を調査するために,反応経路解析が実施された。各部分的転位に対して,SiまたはCの,どちらの原子の種類が,転位線のコアの縁を構成するかに従って,二形式の転位がある。本稿では,Vashishtaポテンシャル関数によって,部分的転位が模擬される。さらに反応経路解析によって,キンク対核形成の活性化エネルギーが調査される。また活性化エネルギーの駆動剪断応力への依存が考察される。結果は,キンクマイグレーションの間に,30°部分転位が,90ド部分転位よりも,低い活性化エネルギーを持つことを示す。またキンクマイグレーションと核形成の間の,部分転位の両方の程度に対して,Cコアの部分転位が,Siコアの転位よりも高い,活性化エネルギー障壁を有する。この結論はSiコア転位が,Cコア転位よりも,簡単にマイグレートする実験結果と一致する。さらに著者らは,ダングリングボンド原子の間の,転位線に沿う距離が大きな部分転位が,より高い活性化エネルギー障壁を持つことを見出した。著者らの結果に基づき,著者らは転位線中のモルフォロジーの差を説明する,新規モデルを提案した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 反応 ,  活性化エネルギー ,  モルフォロジー ,  キンク ,  核形成 ,  *炭化ケイ素 ,  解離 ,  マイグレーション【化学物質】 ,  *転位【結晶】
準シソーラス用語： 3C-SiC

分類 (1件)： 格子欠陥一般  (BK12010J)

タイトルに関連する用語 (6件)： コア ,  Si ,  部分転位 ,  運動 ,  反応経路 ,  解析