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J-GLOBAL ID：201502215870215882   整理番号：15A1044057

N-(5-{〔アンチピリニル-ヒドラゾノ〕-シアノメチル}-〔1,3,4〕チアディアゾル-2-yl-ベンズアミドの形状的および結晶構造,光吸収,デバイスキャラクタリゼーション

Geometrical and crystal structures, optical absorption and device characterization of N-(5-{[antipyrinyl-hydrazono]-cyanomethyl}-[1,3,4]thiadiazol-2-yl)-benzamide

著者 (3件)： ZEDAN I.T. (Basic Sci. Dep., High Inst. of Engineering and Technol., El-Arish, North Sinai, Egypt) ,  EL-GHAMAZ N.A. (Dep. of Physics, Fac. of Sci. at New Damietta, Damietta Univ., 34517 New Damietta, Egypt) ,  EL-MENYAWY E.M. (Solid State Electronics Lab., Solid State Physics Dep., Physics Div., National Res. Centre, 33 El-Bohouth St., Dokki ...)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 39  ページ： 408-415  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： N-(5-{〔アンチピリニル-ヒドラゾノ〕-シアノメチル}-〔1,3,4〕チアディアゾル-2-yl-ベンズアミド(ACBT)の分子構造を理論的に最適化し,もっとも高く占有されている分子軌道と最も低い占有されていない分子軌道を計算した。ACTBは空間群P2の三斜晶構造で結晶化している。ACTB薄膜を,石英とn-Si単結晶基板の上に熱蒸着技術を使って制作した。膜の光学的性質を透過率と反射率の分光測光の観点で調べた。制作したIn/ACTB/n-Si/Auダイオードの電流電圧(I-V)特性を298~398Kの温度範囲で調べた。デバイスは整流挙動を示した。低順電圧では,温度の関数としての理想因子と障壁高さの決定に熱イオン放出理論を適用した。デバイスの直列抵抗は温度上昇と共に低下した。比較的高い順電圧では,トラップの指数分布で支配される空間電荷制限電流が動作メカニズムであり,そこでとラッピングパラメータと電荷キャリア移動度を見積もった。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 光学ギャップ ,  ヘテロ接合 ,  機構 ,  因子 ,  高さ ,  電気抵抗 ,  *結晶構造 ,  HOMO ,  LUMO ,  *光吸収 ,  分子構造 ,  透過率 ,  反射率 ,  分光測光 ,  電流電圧特性 ,  イオン放出 ,  空間電荷制限電流 ,  芳香族カルボン酸 ,  カルボアミド
準シソーラス用語： 光学バンドギャップ ,  障壁高さ ,  直列抵抗 ,  伝導機構 ,  熱イオン放出 ,  理想因子

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

物質索引 (1件)： ベンズアミド

タイトルに関連する用語 (4件)： ベンズアミド ,  結晶構造 ,  光吸収 ,  キャラクタリゼーション