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J-GLOBAL ID:201502215898378140   整理番号:15A0863215

イオンドープによるβGa2O3単結晶の作製と評価

著者 (7件):
資料名:
巻: 2014  ページ: 183-184  発行年: 2015年06月 
JST資料番号: L3700A  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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生体透過領域である近赤外シンチレータの医療利用が期待されている。βGa2O3は単斜晶構造を有し,バンドギャップは4.8と比較的小さいが近赤外発光シンチレータとして期待される。しかしながら,融点が高くへき開性も有しており単結晶化は容易ではない。本研究では,著者らのβGa2O3単結晶成長に取り組んだ経験を基に,近赤外発光を生じるようにCrを添加したβGa2O3の単結晶成長を試みた。光学式浮遊帯溶融法を用いて単結晶を育成し,SEM/EPMAによる組成分析に加え,透過率およびα線励起によるシンチレーション発光波長の評価を行った。長さ約30mmの単結晶成長に成功し,赤外~近赤外発光が確認できると共に,リアルタイム線量モニタ等の医療用途への応用の可能性が確認できた。
シソーラス用語:
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分類 (1件):
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酸化物の結晶成長 

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