文献

J-GLOBAL ID：201502215903829008   整理番号：15A1281254

レーザ応用の光学ゲルマニウムオンインシュレータ基板に製作した厚いゲルマニウム懸濁膜中の1.9%二軸引張歪

1.9% bi-axial tensile strain in thick germanium suspended membranes fabricated in optical germanium-on-insulator substrates for laser applications

著者 (19件)： GASSENQ A. (Univ. Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, FRA) ,  GUILLOY K. (Univ. Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, FRA) ,  OSVALDO DIAS G. (Univ. Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, FRA) ,  PAUC N. (Univ. Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, FRA) ,  ROUCHON D. (Univ. Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, FRA) ,  HARTMANN J.-m. (Univ. Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, FRA) ,  WIDIEZ J. (Univ. Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, FRA) ,  TARDIF S. (Univ. Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, FRA) ,  RIEUTORD F. (Univ. Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, FRA) ,  ESCALANTE J. (Univ. Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, FRA) ,  DUCHEMIN I. (Univ. Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, FRA) ,  NIQUET Y.-m. (Univ. Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, FRA) ,  GEIGER R. (Lab. for Micro- and Nanotechnology, Paul Scherrer Inst., 5232 Villigen, CHE) ,  ZABEL T. (Lab. for Micro- and Nanotechnology, Paul Scherrer Inst., 5232 Villigen, CHE) ,  SIGG H. (Lab. for Micro- and Nanotechnology, Paul Scherrer Inst., 5232 Villigen, CHE) ,  FAIST J. (Inst. for Quantum Electronics, ETH Zurich, 8093 Zuerich, CHE) ,  CHELNOKOV A. (Univ. Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, FRA) ,  REBOUD V. (Univ. Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, FRA) ,  CALVO V. (Univ. Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 107  号： 19  ページ： 191904-191904-4  発行年： 2015年11月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： レーザ ,  *歪 ,  基板 ,  光学素子 ,  *ゲルマニウム ,  半導体接合 ,  半導体プロセス ,  ケイ素 ,  ブリッジ回路 ,  *半導体薄膜 ,  ウエハ【IC】 ,  品質 ,  バンドギャップ ,  赤外レーザ ,  懸濁物質
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  マイクロブリッジ ,  二軸ひずみ ,  *引張歪 ,  結晶品質 ,  中赤外レーザ ,  直接バンドギャップ

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (6件)： レーザ応用 ,  光学 ,  製作 ,  ゲルマニウム ,  懸濁 ,  引張歪