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J-GLOBAL ID：201502215911339559   整理番号：15A1149577

イオンビーム支援化学エッチングを利用した超薄ケイ素ナノワイヤアレイ合成

Fabrication of ultra-thin silicon nanowire arrays using ion beam assisted chemical etching

著者 (8件)： TAN Zhiyuan (Key Lab. of Radiation Beam Technol. and Materials Modification of Ministry of Education, Coll. of Nuclear Sci. and ...) ,  SHI Wenjia ,  GUO Chungang ,  ZHANG Quan ,  YANG Liang ,  WU Xiaoling ,  CHENG Guo-an ,  ZHENG Ruiting
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 7  号： 41  ページ： 17268-17273  発行年： 2015年11月07日 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Au膜事前堆積とAgイオン注入により,Siウエハ表面下Au-Ag合金ナノ粒子の均一分散を実現した。平均直径10nm未満のSiナノワイヤアレイ(SiNWA)合成に向け,金属支援化学エッチングにおいて触媒としてAu-Agナノ粒子を用いた。このナノワイヤアレイを得るために,イオン注入により導入した合金触媒が重要であることを見出し,また,事前堆積Au層厚変更により,種々の直径のSiNWAが簡単に生成できることも示した。従来の過程と比べ,イオンビーム支援化学エッチングは,大規模に超薄ナノワイヤアレイを合成する便利で効率的な方法であることが証明された。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *ウェットエッチング ,  *ナノワイヤ ,  *ナノ構造 ,  *細線 ,  化学蒸着 ,  金 ,  *イオン注入 ,  金属イオン ,  銀化合物 ,  ウエハ【IC】 ,  金合金 ,  銀含有合金 ,  ナノ粒子 ,  分散【dispersion】 ,  直径 ,  金属触媒 ,  層厚 ,  依存性 ,  超薄膜
準シソーラス用語： *化学エッチング ,  *ケイ素ナノワイヤ ,  *ナノワイヤアレイ ,  原子層堆積 ,  銀イオン ,  ケイ素ウエハ ,  厚さ依存性

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオンビーム ,  支援 ,  化学エッチング ,  ケイ素ナノワイヤ ,  アレイ