文献

J-GLOBAL ID：201502215921381715   整理番号：15A1314274

層状遷移金属カーバイド(Ti₂CT_x,T:-OH,-O)の表面基修飾とキャリア輸送特性

Surface group modification and carrier transport properties of layered transition metal carbides (Ti₂CT_x, T: -OH, -F and -O)

著者 (8件)： LAI Shen (SKKU Advanced Inst. of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan Univ. (SKKU), Suwon 440-746, Korea. [e-mail] ...) ,  JEON Jaeho ,  JANG Sung Kyu ,  XU Jiao ,  CHOI Young Jin ,  PARK Jin-Hong ,  HWANG Euyheon ,  LEE Sungjoo
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 7  号： 46  ページ： 19390-19396  発行年： 2015年12月14日 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン出現後の種々の2次元(2D)材質に関する最近の有意義な研究にも拘わらず,種々のデバイスへの応用に欠かすことの出来ない高移動度と適切なエネルギーバンドギャップを備える新しい2D材質の開発はあまり認められない。本報告では,2D遷移金属カーバイド及びニトリドに属する2D-Ti₂CTのキャリア移動度が表面基T_x(-OH,-F,-O)修飾により調整できることを示した。実験結果から,Ti₂C(OH)_xF_yとTi₂CO_x薄膜が簡単な化学処理,熱処理及び機械的剥離により得られることを示した。次いで,初めて,2D-T₂CT_x電界効果トランジスタ(FETs)のキャリア移動挙動を調べ,室温で104cm²V^-1s^-1の高い電界効果キャリア移動度を得た。Ti₂CO_x薄膜の温度依存性抵抗はゼロゲート電圧下で半導体様Arrhenius挙動を示し,そこから推定したエネルギーギャップは80mVであった。遷移金属カ-バイドをベ-スとするFETsの興味ある1つの特性は室温での電界効移動度のエネルギーギャップ依存性が低い点であり,その特性は電荷移動の主要因が遷移金属カーバイドの狭いエネルギーギャップを超えて活性化されたキャリアであることに起因している。本研究により,高移動度と適切なエネルギーバンドギャップを持つ新しい2D材質作成の可能性が拓かれ,Ti₂CT_x薄膜の電子デバイスへの応用領域が広がった。Copyright 2016 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *遷移金属 ,  *炭化物 ,  チタン ,  *表面改質 ,  輸送現象 ,  *移動度 ,  固体素子 ,  バンドギャップ ,  ニトリド錯体 ,  熱処理 ,  *キャリア移動度 ,  FET【トランジスタ】 ,  温度依存性 ,  半導体 ,  電荷移動 ,  Arrheniusの式 ,  グラフェン ,  Ramanスペクトル ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： カーバイド ,  *電子デバイス ,  *キャリア輸送 ,  *エネルギーバンドギャップ ,  二次元構造 ,  電界効果移動度 ,  SEM【顕微鏡】

分類 (4件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 層状 ,  遷移金属 ,  カーバイド ,  修飾 ,  キャリア ,  輸送特性