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J-GLOBAL ID：201502215925912219   整理番号：15A1041373

ASERTによる複雑なシステムオンチップ(SoC)のSEE誤り率推定

Estimating SEE Error Rates for Complex SoCs With ASERT

著者 (5件)： CABANAS-HOLMEN Manuel (Boeing Co., WA, USA) ,  CANNON Ethan H. (Boeing Co., WA, USA) ,  AMORT Tony (Boeing Co., WA, USA) ,  BALLAST Jon (Boeing Co., WA, USA) ,  BREES Roger (Boeing Co., WA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 62  号： 4,Pt.1  ページ： 1568-1576  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近代的システム-オン-チップ(SoC)素子の複雑さは強力な宇宙機ペイロードを可能にする。複雑なSoCのシングルイベント効果(SEE)率を予測するためのASIC SEE誤り率ツール(ASERT)を開発した。本研究では,ASERTを用いてSoCのSEE誤り率を推定した。まず,ASERTの方法論,入力,誤り率方程式などを概説した。次に,敏感なセル群を取出す手順を示した。記憶素子のシングルイベントアップセット(SEU)率とシングルイベント過渡現象(SET)率の推定に用いる様々な方法を概説し,敏感なセル群に対するSEE誤り率を論じた。SoCレベルのSEE誤り積分と設計最適化手法を示した。

シソーラス用語： SEU【シングルイベント】 ,  過渡現象 ,  *ソフトエラー ,  *集積回路 ,  誤り率 ,  最適設計 ,  *耐放射線性 ,  設計 ,  モデリング ,  超LSI
準シソーラス用語： シングルイベント過渡現象 ,  シングルイベント効果 ,  耐放射線性設計 ,  システムオンチップ ,  SEE【事象】

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (5件)： システムオンチップ ,  SOC ,  SEE ,  誤り率 ,  推定