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J-GLOBAL ID：201502215932240470   整理番号：15A0540578

Ge含有量の異なる歪んだSi_1-xGe_x上のEr-ゲルマノ珪酸塩膜の形成

Formation of Er-germanosilicide films on strained Si_1-xGe_x with different Ge contents

著者 (3件)： CHOI Seongheum (School of Advanced Materials Sci. and Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon, 440-746, KOR) ,  CHOI Juyun ,  KIM Hyoungsub
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 212  号： 4  ページ： 775-779  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪んだSi_1-xGe_x(x=0.14と0.28)上にEr-ゲルマノ珪酸塩[Er(Si_1-zGe_z)_2-y]膜を形成し,TaNキャッピング層を用いて酸素取込み効果を最小にしながら,Ge濃度への形成動力学の依存性を調べた。約30nm厚のEr膜を用いると,均一なEr(Si_1-zGe_z)_2-y膜が約600°Cの焼なまし温度で得られ,凝集と残るSi_1-xGe_x層の歪緩和はなかった。反応性Si_1-xGe_x層のGe濃度が増すと,結晶Er(Si_1-zGe_z)_2-y膜の形成が亢進した。さらに,Er(Si_1-zGe_z)_2-y膜内のGe含有量は,初期層及び残留Si_1-xGe_x層のそれに比べて幾分濃縮された。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ケイ酸塩 ,  ゲルマニウム化合物 ,  エルビウム ,  *薄膜成長 ,  焼なまし ,  濃度依存性 ,  ゲルマニウム ,  *半導体材料 ,  固溶体 ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： *シリコンゲルマニウム

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ge ,  含有量 ,  Er ,  ゲルマ ,  珪酸塩