文献

J-GLOBAL ID：201502216018794996   整理番号：15A0948903

特性を向上させた均一ナノパターン形成グラフェン電界効果トランジスタ

Uniformly Nanopatterned Graphene Field-Effect Transistors with Enhanced Properties

著者 (7件)： CHOI Duyoung (Univ. California, CA, USA) ,  KURU Cihan (Univ. California, CA, USA) ,  KIM Youngjin (Univ. California, CA, USA) ,  KIM Gunwoo (Univ. California, CA, USA) ,  KIM Taekyoung (Univ. California, CA, USA) ,  CHEN Renkun (Univ. California, CA, USA) ,  JIN Sungho (Univ. California, CA, USA)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 10  号： 1  ページ： 10:289 (WEB ONLY)  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 均一性の高いナノパターン形成グラフェン(NPG)の作製とキャラクタリゼーションに成功した。準周期的小首幅NPGを作製するための酸素プラズマエッチング用直接接触テンプレートとして使用される薄い陽極酸化アルミニウムナノマスクは,ポリマバッファ層を用いずに簡単な自己組織化法で作製した。NPGは平均首幅が約11nmと小さい均一なメッシュ構造を示した。均一性の高い11nm首幅はNPG中に量子閉込めを創り,与えられたレベルの首幅に対してグラフェン中に約200meVの記録的バンドギャップ開口をもたらした。単層NPG電界効果トランジスタ(FET)を電子的キャラクタリゼーションを行い,高いオン/オフスイッチング比を実証した。NPGは電気伝導率とバンドギャップの関係の実験による確認を可能にすることを見出した。直接接触,自己組織化マスクリソグラフィーは,グラフェンナノ素子の低価格,高スループット,大規模ナノマニュファクチャリングへの道であることを実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： パターン形成 ,  *グラフェン ,  *FET【トランジスタ】 ,  *バンドギャップ ,  酸化アルミニウム ,  電子顕微鏡観察 ,  電流電圧特性 ,  キャラクタリゼーション ,  ナノ構造 ,  量子閉込め ,  *電気伝導率 ,  均一性 ,  自己組織化 ,  比率
準シソーラス用語： ナノパターン形成 ,  陽極酸化アルミニウム ,  ナノメッシュ ,  オンオフ比

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノパターン形成 ,  グラフェン ,  電界効果トランジスタ