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J-GLOBAL ID:201502216030930960   整理番号:15A1236603

ゲートアンダーラップとのヘテロ材料ゲートCNTFETにおける量子輸送:数値研究【Powered by NICT】

Quantum Transport in Hetero-material-gate CNTFETs with Gate Underlap:A Numerical Study
著者 (6件):
資料名:
巻: 32  号:ページ: 229-239  発行年: 2015年 
JST資料番号: C2538A  ISSN: 1001-246X  CODEN: JIWUEP  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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従来の単一材料ゲートCNTFET(C-CNTFET)およびヘテロ材料ゲートCNTFET(HMG-CNTFET)の電子特性に対するゲートアンダーラップの影響を,量子動力学モデルで理論的に調べた。モデルは,ポアソン方程式により自己矛盾なく解かれる二次元非平衡Green関数(NEGF)に基づいている。C CNTFETの固有カットオフ周波数は数THzに達することを示した。さらに,CとH MG CNTFETについて実施した比較研究。計算結果は,より長いアンダーラップをもつC CNTFETは良好なスイッチング速度がオン/オフ電流比を持つことを示した。HMG CNTFETでは,ゲートアンダーラップはサブしきい値性能とスイッチング遅れ時間を改善し,出力コンダクタンスを大きく減少させた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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