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J-GLOBAL ID：201502216037101039   整理番号：15A0900791

シリコンオン絶縁体を基にしたサブ波長TE/TM回折格子結合器

Subwavelength TE/TM grating coupler based on silicon-on-insulator

著者 (8件)： ZHANG Jingjing (Center of Material Sci., National Univ. of Defense Technol., Changsha 410073, CHN) ,  YANG Junbo (Center of Material Sci., National Univ. of Defense Technol., Changsha 410073, CHN) ,  YANG Junbo (State Key Lab. on Advanced Optical Communication Systems and Networks, Peking Univ., Beijing 100871, CHN) ,  LU Huanyu (Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China, Chengdu 610054, CHN) ,  LU Huanyu (Center of Material Sci., National Univ. of Defense Technol., Changsha 410073, CHN) ,  WU Wenjun (Center of Material Sci., National Univ. of Defense Technol., Changsha 410073, CHN) ,  HUANG Jie (Center of Material Sci., National Univ. of Defense Technol., Changsha 410073, CHN) ,  CHANG Shengli (Center of Material Sci., National Univ. of Defense Technol., Changsha 410073, CHN)
資料名： Infrared Physics & Technology  (Infrared Physics & Technology)
巻： 71  ページ： 542-546  発行年： 2015年07月 
JST資料番号： H0184A  ISSN： 1350-4495  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本レターでは,革新的で一様な回折格子結合器を報告する。その回折格子は,同じ波長範囲で,光ファイバから単一導波路に進む異なった偏光を持つ光を結合する。入射波長がTEモードで1550nmの場合,~30nm 1dBのバンド幅を持ち,結合効率は50%以上に達する。TMモードの場合も,~30nm 1dBのバンド幅を持ち,結合効率は50%以上に達する。2つの偏光波の結合ピーク間のその相当する波長の違いが5nm未満であることを実証する。偏光依存性の影響に関する多くの応用上の制限をこの設計により解決することができる。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *半導体プロセス ,  波長 ,  *TEモード ,  *TMモード ,  *光結合器 ,  *回折格子 ,  光ファイバ ,  導波路 ,  偏光 ,  帯域幅 ,  効率 ,  強度 ,  最大値 ,  *サブ波長
準シソーラス用語： *SOI ,  *回折格子結合器 ,  結合強度 ,  結合効率

分類 (1件)： その他の光伝送素子  (BD06040S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 絶縁体 ,  サブ波長 ,  Te ,  Tm ,  回折格子結合器