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J-GLOBAL ID：201502216063667601   整理番号：15A0861723

混合伝導体用新材料としてのA-サイト欠損型(Y,In)共添加SrTiO₃の合成とイオン-電子伝導度

Synthesis and ionic-electronic conductivity of A-site deficient (Y, In) co-doped SrTiO₃ as novel materials for mixed conductor

著者 (2件)： SHAN Ke (Lab. of New Materials for Power Sources, Coll. of Sci., Honghe Univ., Yunnan Province 661199, CHN) ,  YI Zhong-Zhou (Lab. of New Materials for Power Sources, Coll. of Sci., Honghe Univ., Yunnan Province 661199, CHN)
資料名： Scripta Materialia  (Scripta Materialia)
巻： 107  ページ： 119-122  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： B0915A  ISSN： 1359-6462  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： A-サイト欠損型(Y,In)共添加SrTiO₃をゾル-ゲル法により作製した。A-サイトの欠損はイオン伝導度と材料の焼結性を向上した。(Y_0.08Sr_0.92)_0.93Ti_0.92In_0.08O_3-δに対する800°Cにおけるイオン伝導度は6.5×10^-3Scm^-1で,(Y_0.08Sr_0.92)_0.97Ti_0.92In_0.08O_3-δと比較して約169%上昇した。A-サイト欠損は酸素の移動エネルギーを低下し,そのため酸素イオンの伝導を促進した。最適化された(Y_0.08Sr_0.92)_0.97Ti_0.92In_0.08O_3-δ試料は,100~900°Cにおいて0.06~0.08Scm^-1オーダーの電気伝導度を示した。A-サイト欠損型(Y,In)共添加SrTiO₃の可能な電荷補償機構についても考察した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 電気伝導率 ,  ゾル-ゲル法 ,  化学反応 ,  物質移動 ,  アニオン ,  ドーピング ,  *チタン酸ストロンチウム ,  導体 ,  電気伝導 ,  不純物補償 ,  イットリウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  混合伝導
準シソーラス用語： イオン伝導体 ,  イオン伝導率 ,  コドーピング ,  混合伝導体 ,  酸素イオン ,  酸素移動 ,  電荷補償 ,  電子伝導

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 混合伝導体 ,  新材料 ,  欠損 ,  共添加 ,  イオン ,  電子 ,  伝導度