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J-GLOBAL ID：201502216089673197   整理番号：15A0975466

InNナノワイヤのSi上への分子線エピタキシー

Molecular beam epitaxy of InN nanowires on Si

著者 (9件)： GOLAM Sarwar A.T.M. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, OH 43210, USA) ,  GOLAM Sarwar A.T.M. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, OH 43210, USA) ,  CARNEVALE Santino D. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, OH 43210, USA) ,  KENT Thomas F. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, OH 43210, USA) ,  LASKAR Masihhur R. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, OH 43210, USA) ,  LASKAR Masihhur R. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, OH 43210, USA) ,  MAY Brelon J. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, OH 43210, USA) ,  MYERS Roberto C. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, OH 43210, USA) ,  MYERS Roberto C. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, OH 43210, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 428  ページ： 59-70  発行年： 2015年10月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ支援分子線エピタキシー(PAMBE)を用いて,InNナノワイヤのSi(111)基板上への核生成過程の系統的な成長研究について報告する。さまざまな基板温度とIII/V比で試料を成長した。走査型電子顕微鏡法,X線回折分光法,エネルギー分散型X線分光法およびフォトルミネセンスを行い,構造の変化と光学的特性対成長条件をマップ化した。面密度,高さおよび半径の統計的平均を,基板温度とIII/V比の関数としてマップ化した。三つの異なる形態学的な相,つまり,InN,α-Inおよびβ-Inを成長表面で確認した。異なる条件で成長した試料のSEM画像解析に基づいて,これらの相の形成機構を提案した。最後に,Nリッチ条件下で,Si上にPAMBE成長したInNの成長相図を提示し,テーパ形対非テーパ形の成長条件を確認した。高い成長温度と低いIII/V比が,非テーパ形InNナノワイヤの成長に重要な役割を果たすことが分かった。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *窒化インジウム ,  *ナノワイヤ ,  基板 ,  ケイ素 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *核形成 ,  走査電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  光ルミネセンス ,  基板温度 ,  *状態図 ,  化学組成 ,  *膜構造
準シソーラス用語： *プラズマMBE ,  走査型電子顕微鏡 ,  SEM【顕微鏡】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： InN ,  ナノワイヤ ,  Si ,  分子線エピタキシー