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J-GLOBAL ID：201502216099184983   整理番号：15A0304318

NiSi₂シード誘起横方向結晶化による自己整合透明ポリシリコンゲート薄膜トランジスタの高性能化

High Performance of Self-Aligned Transparent Polysilicon-Gate Thin-Film Transistors by NiSi₂ Seed-Induced Lateral Crystallization

著者 (2件)： PARK Jae Hyo (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  JOO Seung Ki (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 36  号： 2  ページ： 147-149  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化物半導体系TFTsは透明ディスプレイ用として期待されているが,光とバイアス不安定性が課題であり,ディスプレイへのアプリケーションには限界がある。本稿では,NiSi₂シード誘起横方向結晶化(SILC)による透明ポリシリコンゲートTFTと,これを使ったAMOLEDディスプレイ用の透明Q-VGAパネルについて報告した。水素化アモルファスシリコンゲートとアクティブ層を横方向結晶化し,B₂H₆で自己整合ドープした。このSILCポリシリコン膜の平均透過率は68%であった。

シソーラス用語： *フラットパネルディスプレイ ,  *透明材料 ,  ポリシリコン ,  *薄膜トランジスタ ,  エピタクシー ,  横方向 ,  結晶化 ,  透過率 ,  ELディスプレイ ,  ケイ化物 ,  ニッケル化合物 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： AMOLEDディスプレイ ,  ケイ化ニッケル ,  横方向成長 ,  酸化物半導体 ,  透明ディスプレイ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  表示機器  (NC06030Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： 誘起 ,  横方向 ,  結晶化 ,  自己整合 ,  ポリシリコン ,  ゲート ,  薄膜トランジスタ ,  高性能化