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J-GLOBAL ID:201502216135723595   整理番号:15A0923908

金上へのセレン及びアンチモンのアンダーポテンシャル析出

Underpotential deposition of selenium and antimony on gold
著者 (11件):
資料名:
巻: 19  号:ページ: 2399-2411  発行年: 2015年08月 
JST資料番号: W1021A  ISSN: 1432-8488  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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電気化学的原子層エピタキシー(EC-ALE)によるSb2Se3薄膜の析出に関する詳細な研究を報告した。関連した電気化学的側面はサイクリックボルタンメトリー,アノーディック電位走査,及び電量分析により詳細に調べた。SeのUPD層はUPD SeとバルクSeの少量双方の最初の析出,次いでブランク溶液中における冗長バルクSeのストリッピングにより得られた。水洗過程の間の赤Seの形成を避けるために”2回水洗”法を開発した。析出パラメータは最初の3EC-ALEサイクルに対して決定し,これらの値からSb及びSe原子を含んだナノ膜が得られた。走査電子顕微鏡及び電量分析により析出物はコンパクトでSb2Se3のそれに非常に近い化学量論を有した。Ramanスペクトル分析は析出物がSb2Se3ナノクラスターから成ることを示した。Copyright 2015 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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その他の無機化合物の薄膜  ,  電気化学反応 
タイトルに関連する用語 (3件):
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