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J-GLOBAL ID：201502216199423773   整理番号：15A1214006

Siベース多層Ge量子ドットの研究近赤外光検出器【Powered by NICT】

Study of Si-Based Multilayer Ge Quantum Dots Near-Infrared Photodetector

著者 (3件)： Wang Jianyuan (Dep. of Mechanical and Electrical Engineering,Xiamen Univ., Fujian, Xiamen) ,  Chen Songyan (Dep. of Mechanical and Electrical Engineering,Xiamen Univ., Fujian, Xiamen) ,  Li Cheng (Dep. of Mechanical and Electrical Engineering,Xiamen Univ., Fujian, Xiamen)
資料名： Chuangan Jishu Xuebao  (Chuangan Jishu Xuebao)
巻： 28  号： 5  ページ： 660-664  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2450A  ISSN： 1004-1699  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 多層Ge量子ドット(QD)の構造は.B.検出器製作のための超高真空化学蒸着(UHV/CVD)法によりSi基板上に成長させた。固有多層Ge量子ドットは,吸収領域として作用したが,N-Si基板とin situキャップされたP-Si層はOhm接触の形成のために選択した。作製した光検出器は低暗電流密度(7.35×10~(-6)cm~2で1V)をもち,波長限界はSi光検出器と比較して1.31μmに拡張した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 暗電流 ,  *量子ドット ,  *近赤外線 ,  波長 ,  *検出器 ,  *光検出器 ,  超高真空 ,  Ohm接触 ,  *多層 ,  化学蒸着
準シソーラス用語： シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  時間,速度,加速度,角速度の計測法・機器  (AD05040K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  多層 ,  Ge ,  量子ドット ,  研究 ,  近赤外光 ,  検出器