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J-GLOBAL ID：201502216667210553   整理番号：15A0805228

劈開したガリウム・ヒ素表面上に成長した極薄金属膜の超伝導性への平行磁場の効果

Effect of Parallel Magnetic Field on Superconductivity of Ultrathin Metal Films Grown on a Cleaved GaAs Surface

著者 (4件)： SEKIHARA Takayuki (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MIYAKE Takahiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MASUTOMI Ryuichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  OKAMOTO Tohru (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Journal of the Physical Society of Japan  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 84  号： 6  ページ： 064710.1-064710.5  発行年： 2015年06月15日 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガリウム・ヒ素(110)上に成長したIn,Bi,Al極薄膜における超伝導転移温度T_cの平行磁場H依存性を調査した。In膜の単分子層領域では,T_cは二次のH依存性を示した。それは,以前に現著者が [Phys. Rev. Lett. 111, 057005 (2013)]によって単層Pb膜において以前観測されたものよりも一桁大きかった。この結果は,適度のRashbaスピン軌道相互作用において,非均一な二次元超伝導状態に対して開発されたモデルで再現された。Rashbaスピン分裂は0.04eVと推定され,単層のPb膜に対するものよりも小さかった。いくつかの単層Bi膜においては,Hを増加させることによるT_cの低減はPb単層のものに匹敵した。他方,はるかに強い低減(パウリ常磁性効果の結果と考えられる)はAl膜に対して観測された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *劈開【結晶】 ,  *ヒ化ガリウム ,  超薄膜 ,  金属薄膜 ,  *転移温度 ,  *単分子層 ,  依存性 ,  スピン-軌道相互作用
準シソーラス用語： Rashbaスピン-軌道相互作用 ,  磁場依存性 ,  *超伝導転移温度

分類 (2件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R) ,  金属薄膜  (BK14030T)

引用文献 (27件)：

• T. Zhang, P. Cheng, W. J. Li, Y. J. Sun, G. Wang, X. G. Zhu, K. He, L. L. Wang, X. C. Ma, X. Chen, Y. Y. Wang, Y. Liu, H. Q. Lin, J. F. Jia, and Q. K. Xue, Nat. Phys. 6, 104 (2010).
• T. Uchihashi, P. Mishra, M. Aono, and T. Nakayama, Phys. Rev. Lett. 107, 207001 (2011).
• E. I. Rashba, Sov. Phys. Solid State 2, 1109 (1960).
• Yu. A. Bychkov and E. I. Rashba, JETP Lett. 39, 78 (1984).
• V. Barzykin and L. P. Gor'kov, Phys. Rev. Lett. 89, 227002 (2002).

タイトルに関連する用語 (6件)： 劈開 ,  ガリウム ,  ヒ素 ,  成長 ,  極 ,  金属膜