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J-GLOBAL ID：201502216680880150   整理番号：15A0907697

完全空乏化SOI p-MOSFETのためのX線照射による実効ゲート長変調の解析

Analysis of Effective Gate Length Modulation by X-Ray Irradiation for Fully Depleted SOI p-MOSFETs

著者 (8件)： KURACHI Ikuo (High Energy Accelerator Res. Organization, Ibaraki, JPN) ,  KOBAYASHI Kazuo (RIKEN, Sayo, JPN) ,  OKIHARA Masao (Lapis Semiconductor Co., Ltd., Yokohama, JPN) ,  KASAI Hiroki (Lapis Semiconductor Miyagi Co., Ltd., Miyagi, JPN) ,  HATSUI Takaki (RIKEN, Sayo, JPN) ,  HARA Kazuhiko (Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN) ,  MIYOSHI Toshinobu (High Energy Accelerator Res. Organization, Ibaraki, JPN) ,  ARAI Yasuo (High Energy Accelerator Res. Organization, Ibaraki, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 8  ページ： 2371-2376  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 完全空乏化SOI(FD-SOIMOS)FETでnMOSFETの場合X線による劣化は埋め込み酸化膜(BOX)中のX線による正電荷発生が原因であり薄いBOXが対策になるが,pMOSFETではほとんど調べられていない。FD-SOI pMOSFETのx線照射による劣化機構を調べた。X線照射によるドレイン電流劣化はゲート長に依存して,1.4kGy(Si)X線照射でL=0.2μmでは20%劣化するが10μmでは8%であった。劣化は移動度劣化によるものではなく,照射によるゲート長変調(RIGLEM)とソースドレイン寄生抵抗によることが寺田の方法で判明した。RIGLEMによる劣化の原因を,側壁スペーサに発生する正電荷を仮定した解析モデルで説明した。FD-SOI pMOSFETのX線照射による劣化はLDDドレイン領域の最適化で改善できることを示した。

シソーラス用語： 半導体プロセス ,  長さ ,  側壁 ,  スペーサ ,  *MOSFET ,  *X線照射 ,  酸化膜 ,  機構 ,  移動度 ,  電気抵抗
準シソーラス用語： *FD型SOI ,  ゲート長 ,  寄生抵抗 ,  埋込み酸化膜 ,  劣化機構

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： SOI ,  MOSFET ,  X線照射 ,  ゲート長 ,  変調 ,  解析