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J-GLOBAL ID：201502216926419504   整理番号：15A1330187

非対称なゲート容量を持つ単一コモンゲート三重ドット素子における単一電子ポンピング

Single-electron pumping in single-common-gate triple-dot devices with asymmetric gate capacitances

著者 (3件)： IMAI Shigeru (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  NAKAJIMA Atsushi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  KOBATA Teppei (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 10  ページ： 104001.1-104001.11  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 均一な接合容量と非対称なゲート容量を持つ単一コモンゲート三重ドット単一電子素子は,単一電子を負バイアス電極へ移送することができる,すなわち,1つのゲート電圧を変化させるだけで,単一電子ポンピングを実現できる。ゲート容量が適当な大-小間の差を持つ大-小,大-大-小,あるいは,大-中-小の分布を持つ場合,素子はポンプとして働く。三番目の分布は最大の大-小間の差を取り,最大の負バイアス電圧を用いた単一電子ポンピングが可能となるので,この分布が好ましい。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 量子ドット ,  容量 ,  *電子 ,  *励起 ,  *構造 ,  三重量子ドット ,  *単一電子
準シソーラス用語： ゲート容量 ,  *電荷ポンピング ,  *非対称構造

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (26件)：

• L. J. Geerligs, V. F. Anderegg, P. A. M. Holweg, J. E. Mooij, H. Pothier, D. Esteve, C. Urbina, and M. H. Devoret, Phys. Rev. Lett. 64, 2691 (1990).
• H. Pothier, P. Lafarge, C. Urbina, D. Esteve, and M. H. Devoret, Europhys. Lett. 17, 249 (1992).
• Y. Takahashi, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, Y. Nakajima, S. Horiguchi, K. Murase, and M. Tabe, Electron. Lett. 31, 136 (1995).
• Y. Ono and Y. Takahashi, Appl. Phys. Lett. 82, 1221 (2003).
• L. P. Kouwenhoven, A. T. Johnson, N. C. van der Vaart, C. J. P. M. Harmans, and C. T. Foxon, Phys. Rev. Lett. 67, 1626 (1991).

タイトルに関連する用語 (5件)： 非対称 ,  ゲート容量 ,  ドット ,  単一電子 ,  ポンピング