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J-GLOBAL ID：201502217172557600   整理番号：15A0911477

SiO₂/AlGaNゲート積層付き横GaN HEMTにおけるトラッピング特性とパラメータシフト

Trapping Characteristics and Parametric Shifts in Lateral GaN HEMTs with SiO₂/AlGaN Gate Stacks

著者 (8件)： KING M. P. (Sandia National Lab., NM, USA) ,  DICKERSON J. R. (Sandia National Lab., NM, USA) ,  DASGUPTA S. (Sandia National Lab., NM, USA) ,  MARINELLA M. J. (Sandia National Lab., NM, USA) ,  KAPLAR R. J. (Sandia National Lab., NM, USA) ,  PIEDRA D. (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  SUN M. (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  PALACIOS T. (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2015 Vol.1  ページ： 123-130  発行年： 2015年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *二酸化ケイ素 ,  *HEMT ,  *窒化ガリウム ,  電流電圧特性 ,  電荷 ,  *キャリア捕獲 ,  パワーエレクトロニクス ,  *信頼性 ,  *アルミニウム化合物 ,  層 ,  *積層構造 ,  *ゲート【半導体】 ,  化学蒸着 ,  絶縁膜 ,  温度依存性 ,  過渡解析 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 電流コラプス ,  トラップ電荷 ,  *AlGaN/GaN ,  バリア層 ,  リセス構造 ,  ALD【蒸着】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： SiO2 ,  AlGaN ,  ゲート ,  GaN ,  HEMT ,  トラッピング ,  パラメータ ,  シフト