文献

J-GLOBAL ID：201502217178385592   整理番号：15A0940231

第一原理計算によるWZ-CuInS₂/MoS₂界面の格子構造と電子的性質

Lattice structures and electronic properties of WZ-CuInS₂/MoS₂ interface from first-principles calculations

著者 (5件)： LIU Hong-Xia (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Lanzhou Univ. of Technol., State Key Lab. of Advanced Processing and ...) ,  TANG Fu-Ling (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Lanzhou Univ. of Technol., State Key Lab. of Advanced Processing and ...) ,  XUE Hong-Tao (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Lanzhou Univ. of Technol., State Key Lab. of Advanced Processing and ...) ,  ZHANG Yu (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Lanzhou Univ. of Technol., State Key Lab. of Advanced Processing and ...) ,  FENG Yu-Dong (Sci. and Technol. on Surface Engineering Lab., Lanzhou Inst. of Physics, Lanzhou 730000, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 351  ページ： 382-391  発行年： 2015年10月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論内での第一原理平面波の計算を用いて,完全なWZ-CuInS₂/MoS₂(-100)の原子構造,結合エネルギーおよび電子的性質を含む界面について理論的に調べた。緩和の後,原子位置および結合長さは,界面上でわずかに変化する。WZ-CIS/MoS₂界面は,約-0.65J/m²の界面結合エネルギーで安定に存在できる。状態密度,微分電荷密度およびBader電荷の解析から,電子が主に界面で再分布すること,またフェルミ準位近傍にいくつかの界面準位が存在し,それが主にWZ-CIS領域のIn-5s軌道およびMoS₂領域のS-3p軌道により生じることを見出した。界面では,いろいろな界面原子の軌道混成が原子の結合能力を高める。電子変換と軌道混成が共に原子間の結合を促進し,界面の付着エネルギーを増加させる。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *銅化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *硫化物 ,  *硫化モリブデン ,  *界面 ,  *格子構造 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  密度汎関数法 ,  結合エネルギー ,  表面エネルギー ,  *状態密度 ,  電荷分布 ,  *表面準位 ,  配位混合 ,  付着力 ,  バンド構造 ,  *第一原理 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  モリブデン ,  太陽電池 ,  エネルギー変換効率 ,  Ohm接触
準シソーラス用語： 界面エネルギー ,  *硫化インジウム銅

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  表面の電子構造  (BM02080J) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 第一原理計算 ,  CuInS2 ,  MoS2 ,  界面 ,  格子構造 ,  電子 ,  性質