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J-GLOBAL ID：201502217199053964   整理番号：15A1088947

Ga₂O₃芯/WO₃殻ナノ構造の合成,構造とエタノールセンシング特性

Synthesis, structure and ethanol sensing properties of Ga₂O₃-core/WO₃-shell nanostructures

著者 (4件)： PARK Sunghoon (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Inha Univ., 253 Yonghyun-dong, Nam-gu, Incheon 402-751, KOR) ,  KIM Soohyun (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Inha Univ., 253 Yonghyun-dong, Nam-gu, Incheon 402-751, KOR) ,  SUN Gun-Joo (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Inha Univ., 253 Yonghyun-dong, Nam-gu, Incheon 402-751, KOR) ,  LEE Chongmu (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Inha Univ., 253 Yonghyun-dong, Nam-gu, Incheon 402-751, KOR)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 591  号： PB  ページ： 341-345  発行年： 2015年09月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ga₂S₃粉末の熱蒸着と,その後のWO₃粉末の熱蒸着により,Ga₂O₃-芯/WO₃-殻ナノ構造を合成して,そのC₂H₅OHガスセンシング特性を調べた。Ga₂O₃-WO₃ヘテロ構造形成により,C₂H₅OHガスセンシング特性が顕著に増大することが分かった。Ga₂O₃芯/WO₃殻ナノ構造センサは,C₂H₅OHガスに対して,元のGa₂O₃ナノ構造センサよりも遥かに強く,また迅速な応答を示した。このGa₂O₃-WO₃ヘテロ構造形成によるGa₂O₃ナノ構造のC₂H₅OHガスに対する応答の顕著な改善は,ポテンシャル障壁で制御されたキャリア輸送機構と表面空乏化機構の組み合わせで説明できる。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *構造 ,  ナノ構造 ,  化学合成 ,  *酸化タングステン ,  *酸化ガリウム ,  *真空蒸着 ,  素子構造 ,  *ガスセンサ ,  *アルコール ,  輸送現象 ,  脂肪族アルコール ,  *コアシェル構造
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  キャリア輸送

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

物質索引 (1件)： エタノール

タイトルに関連する用語 (4件)： Ga2O3 ,  芯 ,  殻 ,  ナノ構造