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文献
J-GLOBAL ID:201502217209378883   整理番号:15A1061887

シリコンインゴットの特性:単結晶ライクと高性能多結晶の比較

Characterization of silicon ingots: Mono-like versus high-performance multicrystalline
著者 (5件):
資料名:
巻: 54  号: 8S1  ページ: 08KD10.1-08KD10.5  発行年: 2015年08月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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異なるシードを用いて同一炉及び同一プロセスにより,単結晶ライクSi及び高性能多結晶シリコンインゴットを成長した。また,同一炉を用いて異なる成長プロセスにより,従来の多結晶シリコンインゴットを成長した。インゴット中の粒子構造,キャリア寿命の分布,及び転位を比較することにより,著者等は,品質的にその材料の特徴を示した。単結晶ライクSiの平均キャリア寿命は,高性能多結晶Siとほぼ同等であり,従来の多結晶Siより若干短かった。著者等は,この結果が,原料溶融のために長い処理時間に起因する高い濃度の金属汚染物質に起因することを示唆した。転位及びそのクラスター密度は,従来の多結晶Siに比べて,単結晶ライクSiと高性能多結晶Siにおいて有意に低かった。インゴットの成長過程及び結晶粒構造の差異に基づいて,これらの違いの起源を検討した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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太陽電池  ,  半導体の結晶成長 
タイトルに関連する用語 (5件):
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