擬人化ファントムにおけるモンテカルロ放射線治療計算を検証するためのMOSFET線量計の使用

JUSTE Belen; MIRO R.; ABELLA V.; SANTOS A.; VERDU Gumersindo

文献

J-GLOBAL ID：201502217233211124 整理番号：15A1093643

擬人化ファントムにおけるモンテカルロ放射線治療計算を検証するためのMOSFET線量計の使用

Use of MOSFET dosimeters to validate Monte Carlo radiation treatment calculation in an anthropomorphic phantom

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資料名：
巻： 116 ページ： 208-213 発行年： 2015年11月
JST資料番号： D0627A ISSN： 0969-806X 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

モンテカルロシミュレーションに基づく放射線治療計画は決定論的システムと比較して非常に正確な線量計算をもたらす。最近では,金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)線量計が患者の受ける線量を検証するために放射線治療にますます利用されるようになった。本研究では,MCNP6(モンテカルロN粒子輸送コード)を使用して,医療線形加速器による擬人化ファントム(RANDO)の照射をシミュレートした。6MeVの光子ビームを使用するElekta Precise多葉コリメータの詳細モデルを設計して,以前の研究の異なるビームサイズと形状によって検証した。このシミュレーションにRANDOファントムの形状を入れるために,ファントムのコンピュータ断層撮影画像のセットを取得して,フォーマットした。スライスをPLUNCソフトウェアに入力し,解剖学的構造を定義することによってセグメンテーションを行い,MatlabアルゴリズムによってMCNP6入力デッキ形式でファントム情報を書き込んだ。このシミュレーションの検証,即ち,ファントムモデルと照射はファントム内の異なる点で測定した高感度のMOSFET線量計(Best medical Canada製)の値とシミュレーション結果の比較によって検証した。オンライン無線MOSFETは極めて薄い感応容積中の線量を推定できるので,極めて注意深く正確な検証が行われる。この比較はMOSFET測定とモンテカルロ計算の間の良好な一致を示し,シミュレーションに患者のCTを含むように開発した手順の有効性を確認して,正確な治療計画としてモンテカルロシミュレーションの使用を承認している。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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人体の汚染及び防止

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