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J-GLOBAL ID：201502217239036960   整理番号：15A0502295

パルスレーザー蒸着法を用いたCu₂SnS₃薄膜太陽電池の作製

Fabrication of Cu₂SnS₃ thin film solar cells using pulsed laser deposition technique

著者 (7件)： VANALAKAR S.A. (Optoelectronics Convergence Res. Center, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Chonnam National Univ., Gwangju 500 ...) ,  VANALAKAR S.A. (Dep. of Physics, Karmaveer Hire Arts, Sci., Commerce, and Education Coll., Gargoti 416209, IND) ,  AGAWANE G.L. (Optoelectronics Convergence Res. Center, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Chonnam National Univ., Gwangju 500 ...) ,  KAMBLE A.S. (Optoelectronics Convergence Res. Center, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Chonnam National Univ., Gwangju 500 ...) ,  HONG C.W. (Optoelectronics Convergence Res. Center, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Chonnam National Univ., Gwangju 500 ...) ,  PATIL P.S. (Thin Film Materials Lab., Dep. of Physics, Shivaji Univ., Kolhapur 416004, IND) ,  KIM J.H. (Optoelectronics Convergence Res. Center, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Chonnam National Univ., Gwangju 500 ...)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 138  ページ： 1-8  発行年： 2015年07月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3元カルコゲナイド半導体Cu₂SnS₃(CTS)は,薄膜太陽電池への応用のための関心の高まりを集めている新興の材料である。本稿では,小型で単相のCTS薄膜を形成するためのパルスレーザー蒸着法について初めて報告した。CTS膜の形成に対するアニーリング温度の影響を調べました。XRD及びラマン研究により,アニールしたCTS薄膜は,立方晶構造を有する多結晶性を有し,アニール温度が増加するに従い,CTS薄膜の結晶サイズは,増加することを明らかにした。400°CでアニールしたCTS薄膜の直接光学的バンドギャップエネルギーは,1.01eVであることを見出した。Hall効果測定により,膜は,0.51cm²/Vsの正孔移動度を有するp-型導電性を有することを示した。最後に,SLG/Mo/CTS/CdS/i-ZnO/AZO/Al構造を用いて,薄膜太陽電池を製造した。11.90mA/cm²の短絡電流密度により,0.82%の光電変換効率を達成した。著者等は,CTS太陽電池用VOCのより良い値を達成することに成功した。著者等は,本研究で開発した方法が,CTS薄膜太陽電池を製造するための新しい方法を提供することを示唆した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： カルコゲン化物 ,  *化合物半導体 ,  *硫化物 ,  *スズ化合物 ,  *銅化合物 ,  *太陽電池 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  半導体薄膜 ,  *熱処理 ,  X線回折 ,  Ramanスペクトル ,  粒径 ,  光学ギャップ ,  Hall効果 ,  *キャリア移動度 ,  P型半導体 ,  酸化亜鉛 ,  硫化カドミウム ,  アルミニウム ,  モリブデン ,  電流密度 ,  *エネルギー変換効率
準シソーラス用語： 正孔移動度 ,  短絡電流密度 ,  薄膜太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： パルスレーザー蒸着 ,  薄膜太陽電池 ,  作製