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J-GLOBAL ID：201502217264836882   整理番号：15A1369191

二酸化バナジウム相変化スイッチ

Vanadium Dioxide Phase Change Switches

著者 (6件)： FIELD M. (Teledyne Scientific & Imaging, CA, USA) ,  HILLMAN C. (Teledyne Scientific & Imaging, CA, USA) ,  STUPAR P. (Teledyne Scientific & Imaging, CA, USA) ,  HACKER J. (Teledyne Scientific & Imaging, CA, USA) ,  GRIFFITH Z. (Teledyne Scientific & Imaging, CA, USA) ,  LEE K.-J. (Teledyne Scientific & Imaging, CA, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9479  ページ： 947908.1-947908.8  発行年： 2015年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ミリ波帯における低損失スイッチの報告は少なく,MEMSやPINダイオードによるスイッチは40GHzで0.4dB程度あり,多段接続すると信号の劣化が起こる。二酸化バナジウム(VO₂)の熱駆動による金属絶縁体の転移を用いて,W帯あるいはそれ以上の周波数で動作する低損失ミリ波スイッチを作成した。これはVO₂薄膜を用いたRFスイッチであり,逆さの伝送線路区間内に構成し,局所的熱制御のためのNiCrヒータを組み込んだものである。このフィルムを金属絶縁体転移を超えた温度で加熱すると,50GHzで挿入損が0.13dB,110GHzで0.5dBの低損失スイッチが得られた。スイッチの遮断周波数は約45THzと高い。これは低いオン抵抗とオフ容量によるものである。これらのスイッチを,高RF電力時のデバイスの自己ラッチングを含めて物理的に考察した。さらにスイッチをSiGe RF回路に組込んだ。またスイッチ用ヒータの電流源と制御ロジックも同じSiGe回路に組み込んで実証した。

シソーラス用語： *スイッチ ,  EHF波 ,  *酸化バナジウム ,  *材料 ,  挿入損 ,  オン抵抗 ,  状態 ,  薄膜回路 ,  酸化物 ,  薄膜
準シソーラス用語： *RFスイッチ ,  オフ状態 ,  *二酸化バナジウム ,  *相変化材料 ,  酸化物薄膜

分類 (1件)： その他の伝送回路素子  (NC04070U)

タイトルに関連する用語 (2件)： 二酸化バナジウム ,  相変化