文献

J-GLOBAL ID：201502217271055942   整理番号：15A1189280

二重層誘電体を利用したフレキシブル基板上の空気安定化N形カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製

Fabrication of air-stable n-type carbon nanotube thin-film transistors on flexible substrates using bilayer dielectrics

著者 (8件)： LI Guanhong (State Key Lab. of Low-Dimensional Quantum Physics, Dep. of Physics & Tsinghua-Foxconn Nanotechnology Res. Center ...) ,  LI Qunqing ,  JIN Yuanhao ,  ZHAO Yudan ,  XIAO Xiaoyang ,  JIANG Kaili ,  WANG Jiaping ,  FAN Shoushan
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 7  号： 42  ページ： 17693-17701  発行年： 2015年11月14日 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層カーボンナノチューブ(SWNT)薄膜トランジスタは,フレキシブルなエレクトロニクスのために有用である。フレキシブル基板上に,標準フォトリソグラフィーと互換性を持つ方法で,空気安定化N形デバイスの作製について検討した。本論文では,原子層堆積(ALD)のAl₂O₃またはHfO₂とMgOの二重層誘電体構造を利用して,空気安定化N形デバイスを得た。伝導型変換の機構を解明し,これはSWNTでの正孔の消耗に起因していた。ALD層での正の固定電荷に起因したエネルギーバンドの曲がりや,SWNT近傍での吸着水分子を同化するMgOで,トラップ状態密度を低減した。この方法の利点は,SWNT上の吸着体を除去するステップが必要でないことや,ALDプロセスで比較的に低い温度(120°Cまたは90°C)になることであった。単純なリフトオフプロセスでP形とN形のトランジスタの集積が可能になり,コンパクトなCMOSインバータを実証した。チャネル内のSWNTのドーピングは,カーボンナノチューブの薄膜トランジスタでの金属接触のショットキー障壁よりも,重要な役割を果すことも分かった。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *単層カーボンナノチューブ ,  N型半導体 ,  安定化 ,  空気 ,  フレキシブル基板 ,  多層膜 ,  誘電体 ,  フォトリソグラフィー ,  電子技術 ,  Schottky障壁 ,  ドーピング ,  微細加工 ,  パターン形成 ,  化学蒸着 ,  単原子層 ,  酸化マグネシウム ,  バンド構造 ,  吸着 ,  水分子 ,  状態密度 ,  捕獲中心 ,  吸着剤 ,  論理回路 ,  CMOS構造 ,  インバータ ,  酸化アルミニウム ,  酸化ハフニウム
準シソーラス用語： CMOSインバータ ,  リフトオフ法 ,  二重層 ,  原子層堆積

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 二重層 ,  誘電体 ,  フレキシブル基板 ,  安定化 ,  カーボンナノチューブ ,  薄膜トランジスタ ,  作製