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J-GLOBAL ID：201502217310079900   整理番号：15A1235903

100A,200V Si/SiCハイブリッドIGBTモジュールの比較研究【Powered by NICT】

Comparative Study of 100 A/1 200 V Si/SiC Hybrid IGBT Modules

著者 (2件)： Cao Lin (Xi’an Yong Dian Electric Co., Ltd., Xi’an) ,  Wang Fuzhen (CNR Yongji Xinshisu Electric Equipment Co., Ltd., Shanxi, Yongji)
資料名： Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan  (Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan)
巻： 35  号： 3  ページ： 221-226  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2084A  ISSN： 1000-3819  CODEN： GDYJE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： IGBTモジュールにおけるSiC SBDの比較研究を提示した。静的および動的特性を測定し,解析し,IGBTスイッチング損失はSiC SBD,より効率的でスイッチング周波数を増加させることによって電力系統のサイズを縮小できることがハイブリッドモジュールを可能にするシリコンフリーホイーリングPiNダイオードを置き換えることにより劇的に減少できることを明らかにした。ハイブリッドモジュールのターンオンプロセスの際の電流と電圧振動を説明するために,この論文では,振動条件を説明するためにターンオンとターンオフIGBTモジュールの中の異なる電流経路を検討した。振動はLC共振,パッケージの漂遊インダクタンスのみならずIGBTとフリーホイーリングダイオードにおける素子容量によっても誘発される。SiCデバイスのための低寄生インダクタンスパッケージ技術が必要である多くの研究,システム性能と信頼性を改善することができる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 共振 ,  電力系統 ,  ターンオン ,  梱包 ,  ダイオード ,  ターンオフ ,  スイッチング損失 ,  インダクタンス ,  電流 ,  *IGBT ,  *モジュール
準シソーラス用語： システム性能 ,  寄生インダクタンス ,  スイッチング周波数 ,  *比較研究 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  SiC ,  IGBT ,  モジュール ,  研究