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J-GLOBAL ID：201502217338999265   整理番号：14A1444562

CuInGaSe_2太陽電池の性能に対する欠陥状態の影響【Powered by NICT】

Effects of defect states on the performance of CuInGaSe_2 solar cells

著者 (6件)： Wan Fucheng (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Lanzhou Univ. of Technol. State Key Lab. of Gansu Advanced Non-ferrous Metal ...) ,  Tang Fuling (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Lanzhou Univ. of Technol. State Key Lab. of Gansu Advanced Non-ferrous Metal ...) ,  Xue Hongtao (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Lanzhou Univ. of Technol. State Key Lab. of Gansu Advanced Non-ferrous Metal ...) ,  Lu Wenjiang (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Lanzhou Univ. of Technol. State Key Lab. of Gansu Advanced Non-ferrous Metal ...) ,  Feng Yudong (Sci. and Technol. on Surface Engineering Lab., Lanzhou Inst. of Physics, Lanzhou) ,  Rui Zhiyuan (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Lanzhou Univ. of Technol. State Key Lab. of Gansu Advanced Non-ferrous Metal ...)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 35  号： 2  ページ： 024011-1-024011-6  発行年： 2014年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： デバイスモデリングを理論的に理想的なCuInGaSe_2(CIGS)薄膜太陽電池の性能に対する欠陥状態の影響を調べるために実施した。吸収層のCIGSとバッファ層CdS中の欠陥状態(バンドギャップと密度の位置)の品種について調べた。性能パラメータ:開回路電圧,短絡電流,曲線因子,及び光電変換効率の異なる欠陥状態に対するを定量的に分析した。欠陥状態は常にCIGS太陽電池の性能に悪影響を及ぼす,ことを見出したが,欠陥状態密度はCdSにおけるCIGSにおける10~(14)cm~(-3)または10~(18)cm以下~(-3)以下のとき,欠陥状態は性能にほとんど影響しなかった。欠陥状態はバンドギャップの中央に位置しているとき,それらはより有害である。温度と厚さの影響も考慮した。CIGS太陽電池は約170Kで最適な性能を有し,2μm CIGSである太陽光吸収のための十分であることが分かった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *太陽電池 ,  バッファ層 ,  硫化カドミウム ,  バンドギャップ ,  短絡電流
準シソーラス用語： *欠陥状態【格子】 ,  セレン化ガリウムインジウム銅 ,  薄膜太陽電池 ,  開回路電圧 ,  曲線因子 ,  光電変換効率 ,  CIGS太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (2件)： 太陽電池 ,  欠陥状態