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J-GLOBAL ID：201502217349350008   整理番号：15A0980754

効率のよいマルチウエハ集積のためのスルーシリコンビアプロセス

Through Silicon Via Process for Effective Multi-Wafer Integration

著者 (8件)： HORIBE A. (IBM Res. - Tokyo, Kawasaki, JPN) ,  SUEOKA K. (IBM Res. - Tokyo, Kawasaki, JPN) ,  AOKI T. (IBM Res. - Tokyo, Kawasaki, JPN) ,  TORIYAMA K. (IBM Res. - Tokyo, Kawasaki, JPN) ,  OKAMOTO K. (IBM Res. - Tokyo, Kawasaki, JPN) ,  KOHARA S. (IBM Res. - Tokyo, Kawasaki, JPN) ,  MORI H. (IBM Res. - Tokyo, Kawasaki, JPN) ,  ORII Y. (IBM Res. - Tokyo, Kawasaki, JPN)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 65th Vol.3  ページ： 1808-1812  発行年： 2015年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スルーシリコンビア(TSV)技術を使う三次元(3D)集積回路が徐々に成長しているが,このプロセスは高コストが大きな課題である。本稿では,ViaS(積層後垂直集積)と呼ぶ,低コストの3D集積技術について報告した。このプロセスでは,最初に2枚のウエハをパターン形成した感光性接着剤で積層し,上部のウエハを薄型化する。このプロセスを繰り返し,マルチ(>2)ウエハを積層する。最上部にフォトレジスト法によりTSVエッチング用のパターンを形成し,一度のエッチングによりマルチウエハにスルーホールを形成する。この後,コンフォーマル高分子コーティングと,電極接点形成,TSVへの溶融はんだ注入を行う。このプロセスは,低コストで,ストレスの少ない3D集積を可能にする。

シソーラス用語： *集積回路 ,  三次元 ,  *バイアホール ,  フォトレジスト ,  ウエハ【IC】 ,  *原価低減 ,  被覆 ,  はんだ
準シソーラス用語： コンフォーマルコーティング ,  *スルーシリコンビア ,  感光性レジスト ,  *三次元集積回路 ,  低コスト化

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： マルチ ,  ウエハ ,  集積 ,  スルーシリコンビア ,  プロセス