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J-GLOBAL ID:201502217436424530   整理番号:15A1399555

無電解金属アシストシリコンナノワイヤアレイの合成,評価および応用

Synthesis, characterization and application of electroless metal assisted silicon nanowire arrays
著者 (2件):
資料名:
巻: 357  号: PB  ページ: 1944-1950  発行年: 2015年12月01日 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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無電解金属堆積プロセスにより,垂直配向シリコンナノワイヤアレイ(SiNWs)を合成した。走査型電子顕微鏡で確認したが,作製したSiNWsは75nmの平均直径と3.5-4.0μmの長さを有した。フォノン閉じ込めにより,バルクシリコン結晶に比べてSiNWsでは,ラマン分光で520cm-1に特徴的な非対称ピークの広がりを得た。作製したままのSiNWsは,4.9μAcm-2の電流密度で約8.26Vμm-1の臨界電界をもつ優れた電子電界放出特性を示した。SiNWsを60秒間薄い金膜で被覆することにより官能化し,その後,ウシ血清アルブミン(BSA)タンパク質分子検出用バイオプローブとして使用した。リニアスイ-プボルタンメトリー分析から,金被覆SiNWsはBSA検体の濃度の増加について線形応答を示した。合成したままのSiNWsプローブにより,タンパク質分子の最小検出限界を約1.16μMと算出した。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
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半導体薄膜  ,  熱電子放出,電界放出  ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル 
タイトルに関連する用語 (3件):
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