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J-GLOBAL ID:201502217442292166   整理番号:15A0989538

強UV-B放射下のイネ出穂期における生理的特性の日変化に及ぼすけい素施用の影響【Powered by NICT】

Effects of silicon supply on diurnal variations of physiological properties at rice heading stage under elevated UV-B radiation
著者 (5件):
資料名:
巻: 26  号:ページ: 32-38  発行年: 2015年 
JST資料番号: W0392A  ISSN: 1001-9332  CODEN: YSXUER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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ポット実験は,UV-B照射下でのイネの出穂段階での光合成と蒸散関連生理学的パラメータの日変化に及ぼすけい素(Si)供給の影響を調べるために行われた。実験は二UV-B放射レベル,すなわち環境UV-B(環境,A)と高いUV-B(20%,Eによる上昇),及び四Si供給レベル,すなわちを設計したSi_0(対照,0kg SiO_2hm~(-2)),Si_1(ケイ酸ナトリウム100kg SiO_2hm~(-2)),Si_2(ケイ酸ナトリウム1200kg SiO_2hm~(-2)),Si_3(スラグ肥料1200kg SiO_2hm~(-2))。結果は,自然のUV-B照射と比較して,UV-B放射上昇はSi供給(Si_0レベル)処理における純光合成速度(P_n),細胞間CO_2濃度(C_i),蒸散速度(T_r),気孔伝導度(g_s)および水利用効率(WUE)を減少させた11 3%5 5%,10 4%,20 3%と6であった。3%,それぞれ,上記パラメータを減少させた0%-8 3であった。8%~-5。5%,0。7%-4。8%1,4.7%,7。4%-20。2%,0。7%-5。9%Si供給(Si_1,Si_2とSi_3レベル)との処理であった。すなわち,UV-B放射上昇は光合成と蒸散関連生理学的パラメータを減少させたが,シリコン供給はUV-B放射上昇の抑制効果を軽減する明らかにできた。増強されたUV-B照射下で,対照(Si_0レベル)と比較して,シリコン供給はP_n,C_i,g_sとWUEを増加させた16 9%-28 0%1,3 5%-14 3%,16 8%-38 7%と29 0%~-51。2%であったが,Si添加(Si_1,Si_2とSi_3レベル)による処理でT_rを減少させた1。9%-10。8%であった。すなわち,シリコン供給はP_n,C_i,g_sとWUEの増加が,T_rを有意に低減してUV-B放射上昇の抑制効果を軽減することができる。しかし,その差はけい素供給の処理間の生理学的パラメータの日変化に及ぼすUV-B放射上昇の抑制効果を改善するに存在し,Si_3>Si_2>Si_1>Si_0の配列であった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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生態学一般 

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