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J-GLOBAL ID：201502217478179200   整理番号：15A1107418

高性能で耐熱性高分子および金属ハロゲン化物ペロブスカイト太陽電池のためのカソードバッファ層としてイオン性フラーレンをドープした架橋フラーレンマトリックス

A crosslinked fullerene matrix doped with an ionic fullerene as a cathodic buffer layer toward high-performance and thermally stable polymer and organic metallohalide perovskite solar cells

著者 (8件)： CHAO Yi-Hsiang (Dep. of Applied Chemistry, National Chiao Tung Univ., 1001 Ta Hsueh Road, Hsin-Chu, 30010, Taiwan. ...) ,  HUANG Yi-You ,  CHANG Jen-Yun ,  PENG Shih-Hao ,  TU Wei-Yi ,  CHENG Yen-Ju ,  HOU Jianhui ,  HSU Chain-Shu
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 3  号： 40  ページ： 20382-20388  発行年： 2015年10月28日 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,著者等は架橋[6,6]-フェニル-C₆₁-酪酸スチリルデンドロンエステル(C-PCBSD)マトリックスおよびイオン性FPIドーパントから成る,新しいカソードバッファ層を開発した。FPIの取込みは,アニオン誘起電荷移動機構(AIET)により電子移動度を向上させたのに対して,架橋層の溶媒抵抗性は維持した。C-PCBSD/FPI層と組合わせたZnOは,有効におよび普遍的にバルクヘテロ接合高分子太陽電池(BHJPSC),平面ヘテロ接合高分子太陽電池(PHJPSC),および有機金属ハロゲン化物ペロブスカイト太陽電池(OMPSC)の性能を向上させた。更に,C-PCBSD/FPI層の挿入は,OMPSC中のZnO中の残存水分のCH₃NH₃PbI₃中への拡散を防ぐことにより,素子の熱安定性を向上させた。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 耐熱性高分子 ,  金属 ,  *ハロゲン化物 ,  *ペロブスカイト型結晶 ,  *太陽電池 ,  *カソード ,  *バッファ層 ,  イオン ,  *フラーレン ,  *ドーピング ,  *架橋【高分子】 ,  マトリックス【母体】 ,  電荷移動 ,  キャリア移動度 ,  溶媒 ,  耐性 ,  ヘテロ接合 ,  高分子薄膜 ,  水分 ,  拡散 ,  *熱安定性 ,  アンモニア化物 ,  鉛錯体 ,  ヨウ化物 ,  紫外可視吸収スペクトル
準シソーラス用語： フラーレン誘導体

分類 (3件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (11件)： 高性能 ,  耐熱性高分子 ,  金属ハロゲン化物ペロブスカイト ,  太陽電池 ,  カソード ,  バッファ層 ,  イオン性 ,  フラーレン ,  ドープ ,  架橋 ,  マトリックス