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J-GLOBAL ID：201502217490271618   整理番号：15A0810582

半導体デバイスの誤点弧メカニズムに関する解析

An Analysis of False Turn-On Mechanism on Semiconductor Devices

著者 (5件)： 西垣彰紘 (島根大学総合理工学部) ,  梅上大勝 (島根大学総合理工学部) ,  三島大地 (島根大学総合理工学部) ,  服部文哉 (島根大学総合理工学部) ,  山本真義 (島根大学総合理工学部)
資料名： 電気学会論文誌 C  (IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems)
巻： 135  号： 7  ページ： 769-775 (J-STAGE)  発行年： 2015年 
JST資料番号： S0810A  ISSN： 0385-4221  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体素子 ,  *遮断現象 ,  窒化ガリウム ,  炭化ケイ素 ,  電力トランジスタ ,  *点弧制御 ,  スイッチングレギュレータ ,  駆動
準シソーラス用語： スイッチング電源 ,  パワー半導体 ,  *誤点弧 ,  高周波駆動

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (12件)：

• (1) K. Watanabe and J. Itoh : “Investigation of the Circuit Parameters Design in a Power Converter by using High-Frequency Power Devices”, Power Electronics and Drive Systems (PEDS), pp. 15-20 (2011)
• (2) Q. Zhao and G. Stojcic : “Characterization of Cdv/dt Induced Power Loss in Synchronous Buck DC-DC Converters”, IEEE Trans. on Power Electronics, Vol. 22, No. 4, pp. 1508-1513 (2007)
• (3) H. Sheng, Y. Pei, and F. Wang : “Impact of Resonant Tank Structures on Transformer Size for a High Power Density Isolated Resonant Converter”, Power Electronics Specialists Conference, Vol. 7, pp. 2975-2981 (2008)
• (4) I. Hwang, J. Oh, H. Choi, J. Kim, H. Choi, J. Kim, S. Chong, J. Shin, and U. Chung : “Source-Connected p-GaN Gate HEMTs for Increased Threshold Voltage”, Electron Device Lett., Vol. 34, No. 5, pp. 605-607 (2013)
• (5) M. Kanamura, T. Ohki, S. Ozaki, M. Nishimori, S. Tomabechi, J. Kotani, T. Miyajima, N. Nakamura, N. Okamoto, T. Kikkawa, and K. Watanabe : “Suppression of Threshold Voltage Shift for Normally-Off GaN MIS-HEMT without Post Deposition Annealing”, Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), pp. 411-414 (2013)

タイトルに関連する用語 (4件)： 半導体デバイス ,  弧 ,  メカニズム ,  解析