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J-GLOBAL ID：201502217514404230   整理番号：15A0431377

原子層蒸着によって成長した希土類酸化物の疎水性

Hydrophobicity of Rare Earth Oxides Grown by Atomic Layer Deposition

著者 (12件)： OH Il-Kwon (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Kangsik (Ulsan National Inst. of Sci. and Technol. (UNIST), Ulsan, KOR) ,  LEE Zonghoon (Ulsan National Inst. of Sci. and Technol. (UNIST), Ulsan, KOR) ,  KO Kyung Yong (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Chang-Wan (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Su Jeong (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  MYUNG Jae Min (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  LANSALOT-MATRAS Clement (Air Liquide Lab. Korea, Seoul, KOR) ,  NOH Wontae (Air Liquide Lab. Korea, Seoul, KOR) ,  DUSSARRAT Christian (Air Liquide Res. & Dev., Tokyo, JPN) ,  KIM Hyungjun (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Han-Bo-Ram (Incheon National Univ., Incheon, KOR)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 27  号： 1  ページ： 148-156  発行年： 2015年01月13日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ビス(イソプロピルシクロペンタジエニル)-ジイソプロピルアセトアミド錯体を前駆体とする熱原子層蒸着(ALD)およびプラズマ促進原子層蒸着(PE-ALD)によって180°CのSi(100)表面にY₂O₃,La₂O₃,Ce₂O₃,Er₂O₃およびDy₂O₃薄膜を成長させ,電界放出型走査電子顕微鏡法,透過型電子顕微鏡法,X線光電子分光法,FTIRおよび水接触角測定によってキャラクタリゼーションした。ALD成長希土類酸化物薄膜は90°に達する水接触角を示した。異方性エッチングによって作製した3次元シリコンナノワイヤを基板とするALDも検討し,約158°の水接触角を得ることができた。

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *酸化エルビウム ,  *酸化ジスプロシウム ,  酸化セリウム ,  酸化イットリウム ,  酸化ランタン ,  *薄膜 ,  *疎水性 ,  希土類元素錯体 ,  接触角
準シソーラス用語： 原子層蒸着 ,  水接触角

分類 (2件)： 固-液界面  (CB12050B) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

物質索引 (2件)： 1-イソプロピルシクロペンタジエニド ,  N,N-ジイソプロピルアセトアミド

タイトルに関連する用語 (4件)： 原子層蒸着 ,  成長 ,  希土類酸化物 ,  疎水性