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J-GLOBAL ID：201502217694712108   整理番号：15A0298473

SiC-次世代電気動力環境フレンドリ自動車のための発展するパワーデバイス

SiC-Emerging Power Device Technology for Next-Generation Electrically Powered Environmentally Friendly Vehicles

著者 (4件)： HAMADA Kimimori (Toyota Motor Corp., Toyota, JPN) ,  NAGAO Masaru (Toyota Motor Corp., Toyota, JPN) ,  AJIOKA Masaki (Toyota Motor Corp., Toyota, JPN) ,  KAWAI Fumiaki (Toyota Motor Corp., Toyota, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 2  ページ： 278-285  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CO₂排出ガスを低減させる環境に優しい自動車の一つとして,ハイブリッド自動車(HV)がある。損失が少なく高温動作が可能なシリコンカーバイド(SiC)はパワー制御ユニットのサイズと重量を低減させるパワー半導体の有望材料である。自動車環境にSiCを使うための広範囲な研究を,結晶成長,デバイス構造,欠陥解析,オンボードシステムへの適用などの面で行っている。SiC結晶成長にはc軸に直交するa面の繰り返し成長法(RAF)で転位欠陥を減らし,逆バイアスリーク電流特性を改善した。プロセス技術としてはSiCトレンチゲート形成のために従来のSF6/O2/Arベースのプロセスを改良したトレンチエッチング技術を開発した。本稿ではオンボードSiCパワーデバイスとSiC技術開発の現状と将来展望を記した。

シソーラス用語： *電気自動車 ,  ハイブリッド自動車 ,  MOSFET ,  半導体素子 ,  電子回路 ,  結晶成長 ,  *炭化ケイ素 ,  *パワーエレクトロニクス ,  電力トランジスタ ,  素子構造 ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： SiC ,  パワーデバイス ,  パワー半導体 ,  電力半導体素子 ,  半導体成長

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  次世代 ,  電気動力 ,  環境 ,  自動車 ,  発展 ,  パワーデバイス