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J-GLOBAL ID：201502218098550199   整理番号：15A0489012

電子ビーム誘起方位選択エピタキシャル成長によるハイブリッド方位技術の開発

Developments in Hybrid Orientation Technology by Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth

著者 (2件)： INOUE Tomoyasu (Iwaki Meisei Univ., Fukushima, JPN) ,  SHIDA Shigenari (Iwaki Meisei Univ., Fukushima, JPN)
資料名： いわき明星大学科学技術学部研究紀要  (Research Bulletin of Iwaki Meisei University, College of Science and Engineering)
号： 28  ページ： 9-17  発行年： 2015年03月01日 
JST資料番号： L0222A  ISSN： 1880-6813  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CeO₂は26という高い誘電率を有する魅力的な絶縁材料であり,Si基板上に0.34%の格子不整合でエピタキシャル成長できる。高速のLSIデバイスにおいては2次元面内にCeO₂(100)とCeO₂(110)の領域が必要であった。一方,Si(100)基板に成長するとCeO₂(100)とCeO₂(110)の遷移領域ができてしまいSi高速素子では,不都合であった。本研究では,リソグラフィーによってトレンチを形成したSi基板を用いてハイブリッドにCeO₂(100)領域とCeO₂(110)領域を作製する手法及び遷移領域を限界まで減少させるSi基板の抵抗率依存性について述べている。トレンチによって分離された基板の2つの部分の一方に電子ビームを照射するとCeO₂(100)が成長し,照射しないと(110)が成長する。CeO₂の成長はDCマグネトロンスパッタリング法により,まず金属Ceを室温で堆積させたのち800°CにてAr,O ₂を流しCeO₂を成長させた。遷移領域の幅とSi基板の抵抗率の関係を調べると,抵抗率を低くすると遷移領域幅は対数に比例して小さくなることがわかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化セリウム ,  *誘電体薄膜 ,  絶縁膜 ,  誘電率 ,  *格子不整合 ,  *エピタクシー ,  *結晶方位 ,  基板 ,  ケイ素 ,  リソグラフィー ,  トレンチカット【加工】 ,  *電気抵抗率 ,  *電子照射 ,  スパッタ蒸着 ,  範囲 ,  ハイブリッド方式
準シソーラス用語： 方位選択エピタクシー ,  遷移領域

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子ビーム ,  誘起 ,  方位 ,  エピタキシャル成長 ,  開発