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J-GLOBAL ID：201502218419636059   整理番号：15A1367001

水素化したIII~Vバックルハニカムにおける堅牢で大きなギャップ二次元トポロジカル絶縁体

Robust Large Gap Two-Dimensional Topological Insulators in Hydrogenated III-V Buckled Honeycombs

著者 (8件)： CRISOSTOMO Christian P. (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  YAO Liang-Zi (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  HUANG Zhi-Quan (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  HSU Chia-Hsiu (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  CHUANG Feng-Chuan (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  LIN Hsin (National Univ. Singapore, Singapore, SGP) ,  ALBAO Marvin A. (Univ. Philippines Los Banos, Laguna, PHL) ,  BANSIL Arun (Northeastern Univ., Massachusetts, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 15  号： 10  ページ： 6568-6574  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 片面または両面が水素化有無での75 III~Vバックルハニカムの研究を介して,非水素化または水素化されたGaBi,InBi,TlBi,TlSb膜,初期のおよび歪をかけた水素化TlAs,TlN膜が,低温用途に十分大きなバンドギャップをもつQSH(量子スピンホール)相を内部にもつことを予測した。水素化TlBi膜は,単一Diracコーン端部状態をもつ855meVの特別に大きなバンドギャップを支持して,待望のトポロジカル輸送状態を達成する価値ある候補を提供する。TlBi膜は,広範な水素カバレッジにわたって重要なバンドトポロジーを維持して,この膜中のQSHが基材の結合効果に対して特に堅牢であることを示した。

シソーラス用語： *ハニカム構造 ,  *水素化 ,  *絶縁材料 ,  *バンドギャップ ,  ビスマス化合物 ,  ガリウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  アンチモン化物 ,  タリウム化合物 ,  ヒ化物 ,  窒化物 ,  電子状態 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： Diracコーン ,  量子スピンHall絶縁体

分類 (1件)： 絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水素化 ,  堅牢 ,  ギャップ ,  トポロジカル絶縁体